650V耐压200mA峰值电流的半桥栅极驱动电路

AiP2103是具有独立的高端、低端输出通道的高压、高速功率场效应管（MOSFET）和IGBT的驱动电路。专门的HVI和无影响锁存CMOS技术（latch immune CMOS technologies ）确保了单块集成电路结构的耐用，逻辑输入兼容了标准CMOS或LSTTL输出，低压至3.3V。输出驱动端设计了高脉冲电流缓冲级，可最低限度地驱动内部重叠导通。悬浮通道可驱动N沟道功率MOSFET或IGBT，它的高端结构耐压可达600V。 • 通道悬浮设计，自举工作方式，最大偏值电压达600V。\n• 栅驱动电源范围10～20V\n• 欠压保护\n• 3.3V，5V，15V逻辑电平兼容\n• 内含重叠导通保护逻辑\n• 每通道传输延迟匹配\n• 内部设置“死区”时间\n• 高端输出与HIN输入同步\n• 低端输出与 输入异步\n• 封装形式：SOP8/DIP8;

I-CORE

中微爱芯

Dual P-Channel Enhancement Mode MOSFET

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茂达电子

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