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AGR21030EF	文件：371.51 Kbytes Page：9 Pages	30 W, 2.110 GHz-2.170 GHz, N-Channel E-Mode, Lateral MOSFET 文件：371.51 Kbytes 页数：9 Pages	TriQuint	TriQuint
AGR21030EF	文件：300 bytes Page：1 Pages	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 2.11-2.17GHz 7Watt Gain 14.5dB	ASI Semiconductor	ASI Semiconductor
AGR21030EF	文件：300 bytes Page：1 Pages	30 W, 2.110 GHz-2.170 GHz, N-Channel E-Mode, Lateral MOSFET	Qorvo 威讯联合	Qorvo
LET21030C	文件：62.62 Kbytes Page：4 Pages	RF POWER TRANSISTORS Ldmos Enhanced Technology DESCRIPTION The LET21030C is a common source N-Channel enhancement-mode lateral Field-Effect RF power transistor designed for broadband commercial and industrial applications at frequencies up to 2.1 GHz. The LET21030C is designed for high gain and broadband performance operating in common source 文件：62.62 Kbytes 页数：4 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
LLCC21030C	文件：351.5 Kbytes Page：2 Pages	Low Loss CWDM 文件：351.5 Kbytes 页数：2 Pages	OPLINK	OPLINK
LLCC21030S	文件：351.5 Kbytes Page：2 Pages	Low Loss CWDM 文件：351.5 Kbytes 页数：2 Pages	OPLINK	OPLINK

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