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AGR21180EF

180 W, 2.110 GHz-2.170 GHz, N-Channel E-Mode, Lateral MOSFET

文件:384.12 Kbytes 页数:10 Pages

TRIQUINT

AGR21180EF

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 2.11-2.17GHz 38Watt Gain 14dB

ASI Semiconductor

ASI Semiconductor

AGR21180EF

180 W, 2.110 GHz-2.170 GHz, N-Channel E-Mode, Lateral MOSFET

Qorvo

威讯联合

BU21180FS

Capacitive Switch Controller IC

文件:3.93592 Mbytes 页数:44 Pages

ROHM

罗姆

MRF21180

RF Power Field Effect Transistor

文件:520.03 Kbytes 页数:12 Pages

MOTOROLA

摩托罗拉

MRF21180

RF Power Field Effect Transistor

文件:333.54 Kbytes 页数:12 Pages

FREESCALEFreescale Semiconductor, Inc

飞思卡尔飞思卡尔半导体

详细参数

  • 型号:

    AGR21180EF

  • 功能描述:

    射频MOSFET电源晶体管 RF Transistor

  • RoHS:

  • 制造商:

    Freescale Semiconductor

  • 配置:

    Single

  • 频率:

    1800 MHz to 2000 MHz

  • 增益:

    27 dB

  • 输出功率:

    100 W

  • 封装/箱体:

    NI-780-4

  • 封装:

    Tray

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
TRIQUINT
24+
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现货供应
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TRIQUINT
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5000
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更多AGR21180EF供应商 更新时间2026-4-18 14:30:00