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12-300V N MOSFET | AGMsemi 芯控源 | AGMsemi | ||
N?륝hannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary: BVDSS 100V RDSON (MAX.) 14.6mΩ ID 62A UIS, Rg 100 Tested Pb‐Free Lead Plating & Halogen Free 文件：230.02 Kbytes 页数：5 Pages | EXCELLIANCE 杰力科技 | EXCELLIANCE | ||
N-Channel 100V (D-S) MOSFET 文件：4.79423 Mbytes 页数：7 Pages | FOSTER 福斯特半导体 | FOSTER | ||
N-Ch Enhancement Mode Power MOSFET 文件：487.59 Kbytes 页数：4 Pages | SECOS 喜可士 | SECOS |
技术参数
- Technology：
Trench
- Package：
PDFN3.3*3.3
- Polarity：
N
- Bvdss(V)：
100
- VGS(V)：
±20
- ID(A)：
37
- VTH(V)：
1.2~2.2
- RDS(ON)@10VTyp(mπ)：
15
- RDS(ON)@4.5VTyp(mπ)：
19
- CISS_Typ(pF)：
855
- COSS_Typ(pF)：
257
- CRSS_Typ(pF)：
19
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更新时间2026-7-27 11:06:00
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