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AG502EGD3HRB	文件：2.63045 Mbytes Page：14 Pages	丝印：AG502EGD3；Package：TO-252；Pch -40V -68A Power MOSFET Features Low on-resistance Pd-free plating;RoHS compliant 100% Avalanche tested AEC-Q101 qualified Application Automotive Systems 文件：2.63045 Mbytes 页数：14 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
AG502EGD3HRB	文件：300 bytes Page：1 Pages	Pch -40V -68A, TO-252 (DPAK), Power MOSFET for Automotive AG502EGD3HRB is an automotive grade MOSFET that is AEC-Q101 qualified. Ideal for Automotive Systems • Low on-resistance\n• Pd-free plating;RoHS compliant\n• 100% Avalanche tested\n• AEC-Q101 qualified;	ROHM 罗姆	ROHM
AGL1000V2-CS281I	文件：0 bytes Page：0 Pages	281-TFBGA	MICROSEMI 美高森美上传：深圳市金嘉锐电子有限公司	MICROSEMI
AGN20012	文件：0 bytes Page：0 Pages	DIP	松下NAIS 上传：深圳市克雷威尔科技有限公司	松下NAIS
AGN200S03	文件：0 bytes Page：0 Pages	SMD	PANASONIC 松下上传：深圳市金嘉锐电子有限公司	PANASONIC

技术参数

封装：
TO-252
包装形态：
Taping
包装数量：
2500
最小独立包装数量：
2500
RoHS：
Yes
Package Code：
TO-252 (DPAK)
JEITA Package：
SC-63
Number of terminal：
3
Polarity：
Pch
Drain-Source Voltage VDSS[V]：
-40
Drain Current ID[A]：
-68
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ.)：
0.0128
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.)：
0.0101
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)：
0.0128
Total gate charge Qg[nC]：
24
Power Dissipation (PD)[W]：
77
Drive Voltage[V]：
-4.5
Trr (Typ.)[ns]：
35
Mounting Style：
Surface mount
Storage Temperature (Min.)[°C]：
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]：
175
Package Size [mm]：
6.6x10.0 (t=2.3)
Common Standard：
AEC-Q101 (Automotive Grade)

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