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AG091FLD3HRB	文件：2.62078 Mbytes Page：14 Pages	丝印：AG091FLD3；Package：TO-252；Nch 60V 80A Power MOSFET Features Lowon-resistance Pb-freeplating;RoHScompliant 100%Avalanchetested AEC-Q101qualified Application AutomotiveSystems	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
AG091FLD3HRB	文件：300 bytes Page：1 Pages	Nch 60V 80A, TO-252 (DPAK), Power MOSFET for Automotive; • Low on-resistance\n• Pb-free plating;RoHS compliant\n• 100% Avalanche tested\n• AEC-Q101 qualified; AG091FLD3HRB is an automotive grade MOSFET that is AEC-Q101 qualified. Ideal for Automotive Systems.	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM

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AG091FLD3HRB

文件：2.62078 Mbytes

Page：14 Pages

丝印：AG091FLD3；Package：TO-252；Nch 60V 80A Power MOSFET

Features Lowon-resistance Pb-freeplating;RoHScompliant 100%Avalanchetested AEC-Q101qualified Application AutomotiveSystems

ROHMRohm

罗姆罗姆半导体集团

ROHM

AG091FLD3HRB

文件：300 bytes

Page：1 Pages

Nch 60V 80A, TO-252 (DPAK), Power MOSFET for Automotive; • Low on-resistance\n• Pb-free plating;RoHS compliant\n• 100% Avalanche tested\n• AEC-Q101 qualified;

AG091FLD3HRB is an automotive grade MOSFET that is AEC-Q101 qualified. Ideal for Automotive Systems.

ROHMRohm

罗姆罗姆半导体集团

ROHM

技术参数

封装：
TO-252 (TL)
包装形态：
Taping
包装数量：
2500
最小独立包装数量：
2500
RoHS：
Yes
Package Code：
TO-252 (DPAK)
JEITA Package：
SC-63
Number of terminal：
3
Polarity：
Nch
Drain-Source Voltage VDSS[V]：
60
Drain Current ID[A]：
80
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ)：
0.0082
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ)：
0.0058
RDS(on)[Ω] VGS=Drive(Typ)：
0.0082
Total gate charge Qg[nC]：
11.3
Power Dissipation (PD)[W]：
76
Drive Voltage[V]：
4.5
Trr (Typ)[ns]：
37
Mounting Style：
Surface mount
Storage Temperature (Min)[℃]：
-55
Storage Temperature (Max)[℃]：
175
Package Size [mm]：
10.0x6.6 (t=2.3)
Common Standard：
AEC-Q101 (Automotive Grade)

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更多AG091FLD3HRB供应商更新时间2025-7-29 14:02:00

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