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AFT18H357-24NR6分立半导体产品晶体管-FETMOSFET-射频规格书PDF中文资料
厂商型号 |
AFT18H357-24NR6 |
参数属性 | AFT18H357-24NR6 封装/外壳为OM-1230-4L2L;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 射频;产品描述:IC TRANS RF LDMOS |
功能描述 | N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET |
文件大小 |
526.34 Kbytes |
页面数量 |
17 页 |
生产厂商 | NXP Semiconductors |
企业简称 |
nxp【恩智浦】 |
中文名称 | 恩智浦半导体公司官网 |
原厂标识 | |
数据手册 | |
更新时间 | 2024-6-17 23:00:00 |
AFT18H357-24NR6规格书详情
AFT18H357-24NR6属于分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 射频。恩智浦半导体公司制造生产的AFT18H357-24NR6晶体管 - FET,MOSFET - 射频射频晶体管、FET 和 MOSFET 是具有三个端子的半导体器件,器件中电流受电场控制。该系列器件用于涉及射频的设备。用于放大或切换信号或功率的晶体管类型包括:E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 沟道、P 沟道、pHEMT、碳化硅、2 N 沟道和 4 N 沟道。
产品属性
- 产品编号:
AFT18H357-24NR6
- 制造商:
NXP USA Inc.
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 射频
- 包装:
卷带(TR)
- 晶体管类型:
LDMOS(双)
- 频率:
1.81GHz
- 增益:
17.5dB
- 功率 - 输出:
63W
- 封装/外壳:
OM-1230-4L2L
- 供应商器件封装:
OM-1230-4L2L
- 描述:
IC TRANS RF LDMOS
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
NXP(恩智浦) |
23+ |
标准封装 |
107048 |
全新原装正品/价格优惠/质量保障 |
询价 | ||
FREESCALE |
2016+ |
NI1230 |
3526 |
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询价 | ||
Freescale(飞思卡尔) |
2022+ |
60000 |
原厂原装,假一罚十 |
询价 | |||
FREESCALE |
15+ |
MODULE |
24 |
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询价 | ||
NXP(恩智浦) |
23+ |
NA/ |
8735 |
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询价 | ||
FREESCALE |
23+ |
SMD |
187 |
原装正品,假一罚十! |
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freescale/Freescaleiscreatinga |
SMD |
187 |
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NXP |
21+ |
NI12304LS2L |
13880 |
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Freescale |
2021+ |
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FREESCAL |
22+23+ |
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23423 |
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