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AFT09MS007N分立半导体产品晶体管-FETMOSFET-射频规格书PDF中文资料

AFT09MS007N
厂商型号

AFT09MS007N

参数属性

AFT09MS007N 封装/外壳为PLD-1.5W;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 射频;产品描述:FET RF 30V 870MHZ PLD1.5W

功能描述

High Ruggedness N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET
FET RF 30V 870MHZ PLD1.5W

文件大小

1.42031 Mbytes

页面数量

28

生产厂商 NXP Semiconductors
企业简称

nxp恩智浦

中文名称

恩智浦半导体公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-9-25 18:07:00

AFT09MS007N规格书详情

AFT09MS007N属于分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 射频。恩智浦半导体公司制造生产的AFT09MS007N晶体管 - FET,MOSFET - 射频射频晶体管、FET 和 MOSFET 是具有三个端子的半导体器件,器件中电流受电场控制。该系列器件用于涉及射频的设备。用于放大或切换信号或功率的晶体管类型包括:E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 沟道、P 沟道、pHEMT、碳化硅、2 N 沟道和 4 N 沟道。

产品属性

更多
  • 产品编号:

    AFT09MS007NT1

  • 制造商:

    NXP USA Inc.

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 射频

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 晶体管类型:

    LDMOS

  • 频率:

    870MHz

  • 增益:

    15.2dB

  • 功率 - 输出:

    7.3W

  • 封装/外壳:

    PLD-1.5W

  • 供应商器件封装:

    PLD-1.5W

  • 描述:

    FET RF 30V 870MHZ PLD1.5W

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