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MP20056GJ-33	文件：853.59 Kbytes Page：15 Pages	丝印：AFT；Package：TSOT23-5；Low-Noise, High-PSRR, 250mA Linear Regulator 文件：853.59 Kbytes 页数：15 Pages	MPS 美国芯源	MPS
MPQ20056GJ-33	文件：1.14189 Mbytes Page：16 Pages	丝印：AFT；Package：TSOT23-5；Low-Noise, High-PSRR, 250mA Linear Regulator AEC-Q100 Qualified 文件：1.14189 Mbytes 页数：16 Pages	MPS 美国芯源	MPS
MPQ20056GJ-33	文件：855.45 Kbytes Page：14 Pages	丝印：AFT；Package：TSOT23-5；Low-Noise, High-PSRR, 250mA Linear Regulator AEC-Q100 Qualified 文件：855.45 Kbytes 页数：14 Pages	MPS 美国芯源	MPS
MPQ20056GJ-33-AEC1	文件：1.14189 Mbytes Page：16 Pages	丝印：AFT；Package：TSOT23-5；Low-Noise, High-PSRR, 250mA Linear Regulator AEC-Q100 Qualified 文件：1.14189 Mbytes 页数：16 Pages	MPS 美国芯源	MPS
MPQ20056GJ-33-AEC1	文件：855.45 Kbytes Page：14 Pages	丝印：AFT；Package：TSOT23-5；Low-Noise, High-PSRR, 250mA Linear Regulator AEC-Q100 Qualified 文件：855.45 Kbytes 页数：14 Pages	MPS 美国芯源	MPS
AFT09S282N	文件：530.5 Kbytes Page：14 Pages	N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET This 80 watt RF power LDMOS transistor is designed for cellular base station applications covering the frequency range of 720 to 960 MHz. • Typical Single--Carrier W--CDMA Performance: VDD = 28 Volts, IDQ = 1400 mA, Pout = 80 Watts Avg., Input Signal PAR = 7.5 dB @ 0.01 Probability on CCDF Featu 文件：530.5 Kbytes 页数：14 Pages	恩XP	恩XP
AFT09S282NR3	文件：485.62 Kbytes Page：14 Pages	RF Power LDMOS Transistor This 80 watt RF power LDMOS transistor is designed for cellular base station applications covering the frequency range of 720 to 960 MHz. • Typical Single--Carrier W--CDMA Performance: VDD = 28 Volts, IDQ = 1400 mA, Pout = 80 Watts Avg., Input Signal PAR = 7.5 dB @ 0.01 Probability on CCDF Featu 文件：485.62 Kbytes 页数：14 Pages	freescaleFreescale Semiconductor, Inc 飞思卡尔飞思卡尔半导体	freescale
AFT09S282NR3	文件：530.5 Kbytes Page：14 Pages	N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET This 80 watt RF power LDMOS transistor is designed for cellular base station applications covering the frequency range of 720 to 960 MHz. • Typical Single--Carrier W--CDMA Performance: VDD = 28 Volts, IDQ = 1400 mA, Pout = 80 Watts Avg., Input Signal PAR = 7.5 dB @ 0.01 Probability on CCDF Featu 文件：530.5 Kbytes 页数：14 Pages	恩XP	恩XP
AFT18HW355S	文件：474.4 Kbytes Page：16 Pages	RF Power LDMOS Transistor N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFET This 63 watt asymmetrical Doherty RF power LDMOS transistor is designed for cellular base station applications requiring very wide instantaneous bandwidth capability covering the frequency range of 1805 to 1880 MHz.  Typical Doherty Single--Carrier 文件：474.4 Kbytes 页数：16 Pages	恩XP	恩XP
AFT18HW355SR6	文件：474.4 Kbytes Page：16 Pages	RF Power LDMOS Transistor N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFET This 63 watt asymmetrical Doherty RF power LDMOS transistor is designed for cellular base station applications requiring very wide instantaneous bandwidth capability covering the frequency range of 1805 to 1880 MHz.  Typical Doherty Single--Carrier 文件：474.4 Kbytes 页数：16 Pages	恩XP	恩XP

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