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AFGY160T65SPD-B4分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料

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厂商型号

AFGY160T65SPD-B4

参数属性

AFGY160T65SPD-B4 封装/外壳为TO-247-3;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:IGBT - 650V, 160A FIELD STOP TRE

功能描述

Field Stop Trench IGBT With Soft Fast Recovery Diode and VCESAT, VTH Binning
IGBT - 650V, 160A FIELD STOP TRE

丝印标识

AFGY160T65SPDA

封装外壳

TO-247-3LD / TO-247-3

文件大小

2.58508 Mbytes

页面数量

11

生产厂商

ONSEMI

中文名称

安森美半导体

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数据手册

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更新时间

2025-11-1 23:00:00

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AFGY160T65SPD-B4规格书详情

AFGY160T65SPD-B4属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由安森美半导体制造生产的AFGY160T65SPD-B4晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。

产品属性

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  • 产品编号:

    AFGY160T65SPD-B4

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 系列:

    Automotive, AEC-Q100

  • 包装:

    管件

  • IGBT 类型:

    沟槽型场截止

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    2.05V @ 15V,160A

  • 开关能量:

    12.4mJ(开),5.7mJ(关)

  • 输入类型:

    标准

  • 25°C 时 Td(开/关)值:

    53ns/98ns

  • 测试条件:

    400V,160A,5欧姆,15V

  • 工作温度:

    -55°C ~ 175°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-247-3

  • 供应商器件封装:

    TO-247-3

  • 描述:

    IGBT - 650V, 160A FIELD STOP TRE

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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