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AFGY100T65SPD 分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 ONSEMI/安森美半导体

AFGY100T65SPD参考图片

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1+
  • 厂家型号:

    AFGY100T65SPD

  • 产品分类:

    芯片

  • 生产厂商:

    onsemi(安森美)

  • 库存数量:

    928

  • 产品封装:

    TO-247

  • 生产批号:

    24+

  • 库存类型:

    热卖库存

  • 更新时间:

    2025-7-31 23:00:00

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原厂料号:AFGY100T65SPD品牌:onsemi(安森美)

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AFGY100T65SPD是分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单。制造商onsemi(安森美)/onsemi生产封装TO-247/TO-247-3的AFGY100T65SPD晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。

  • 芯片型号:

    AFGY100T65SPD

  • 规格书:

    下载 下载2

  • 企业简称:

    ONSEMI【安森美半导体】详情

  • 厂商全称:

    ON Semiconductor

  • 中文名称:

    安森美半导体公司

  • 内容页数:

    9 页

  • 文件大小:

    252.91 kb

  • 资料说明:

    Field Stop Trench IGBT with Soft Fast Recovery Diode 100A, 650V

产品属性

更多
  • 类型

    描述

  • 型号

    :AFGY100T65SPD

  • Pb-free

    :Pb

  • AEC Qualified

    :A

  • PPAP Capablee

    :P

  • Status

    :Active

  • V(BR)CES Typ (V)

    :650 V

  • IC Max (A)

    :100 A

  • VCE(sat) Typ (V)

    :1.6 V

  • VF Typ (V)

    :1.3 V

  • Eoff Typ (mJ)

    :2.7 mJ

  • Eon Typ (mJ)

    :5.1 mJ

  • Trr Typ (ns)

    :105 ns

  • Gate Charge Typ (nC)

    :109 nC

  • Short Circuit Withstand (µs)

    :6 µs

  • PD Max (W)

    :330 W

  • Co-Packaged Diode

    :Yes

  • Package Type

    :TO-247-3

供应商

  • 企业:

    深圳市高捷芯城科技有限公司

  • 商铺:

    进入商铺留言

  • 联系人:

    高捷芯城-敏敏

  • 手机:

    13378405761

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    0755-82538261

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