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AFGHL50T65SQ数据手册分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF

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厂商型号

AFGHL50T65SQ

参数属性

AFGHL50T65SQ 封装/外壳为TO-247-3;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:AEC 101 QUALIFIED, 650V, 50A FIE

功能描述

AEC 101 Qualified, 650V, 50A Fieldstop 4 trench IGBT, Stand alone IGBT without co-packed diode
AEC 101 QUALIFIED, 650V, 50A FIE

封装外壳

TO-247-3

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体 安森美半导体公司

数据手册

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更新时间

2025-8-7 15:39:00

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AFGHL50T65SQ规格书详情

描述 Description

Using the novel field stop 4th generation high speed IGBT technology. AFGHL50T65SQ which is AEC Q101 qualified offers the optimum performance for both hard and soft switching topology in automotive application.

特性 Features

• AEC Q101 qualified
• Applicable to automotive aplication
• Maximum Junction Temperature, Tj=175°C
• Higher reliability
• Very low switching and conduction losses
• Positive temperature co-efficient
• Tight parameter distribution
• Fast Switching
• Low Saturation Voltage: Vcesat=1.6V(Typ.)@Ic=75A
• 100% of the parts are tested for ILM

应用 Application

• PFC
• Hard Switching
• Automotive
• xEV On & Off board charger
• xEV PTC

简介

AFGHL50T65SQ属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的AFGHL50T65SQ晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :AFGHL50T65SQ

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • AEC Qualified

    :A

  • Halide free

    :H

  • PPAP Capablee

    :P

  • Status

    :Active

  • V(BR)CES Typ (V)

    :650

  • IC Max (A)

    :50

  • VCE(sat) Typ (V)

    :1.6

  • VF Typ (V)

    :N/A

  • Eoff Typ (mJ)

    :0.045

  • Eon Typ (mJ)

    :0.18

  • Trr Typ (ns)

    :N/A

  • Irr Typ (A)

    :N/A

  • Gate Charge Typ (nC)

    :99

  • Short Circuit Withstand (µs)

    :N/A

  • EAS Typ (mJ)

    :N/A

  • PD Max (W)

    :268

  • Co-Packaged Diode

    :No

  • Package Type

    :TO-247-3LD

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