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AFGHL40T120RLD中文资料IGBT - Automotive Grade 1200 V 40 A数据手册ONSEMI规格书

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厂商型号

AFGHL40T120RLD

参数属性

AFGHL40T120RLD 封装/外壳为TO-247-3;包装为托盘;类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:1200V/40A FSII IGBT LOW VCESAT T

功能描述

IGBT - Automotive Grade 1200 V 40 A
1200V/40A FSII IGBT LOW VCESAT T

封装外壳

TO-247-3

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

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更新时间

2025-9-23 16:48:00

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AFGHL40T120RLD规格书详情

描述 Description

AEC Q101 qualified Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) features a robust and cost effective Field Stop II Trench construction. Provides superior performance in demanding switching applications, offering both low on state voltage and minimal switching loss offers optimum performance for both hard and soft switching topology in automotive application.

特性 Features

• AEC Q101 qualified
• Automotive grade
• Tight Parameter distribution
• Suitable for parallelling
• Low Vcesat
• Low conduction losses
• Low Eoff & Eon
• Low switching losses

应用 Application

• HEV-EV PTC heater
• HEV-EV e-compressor
• HEV-EV on board charger
• Electric vehicles
• Hybrid electric vehicles

简介

AFGHL40T120RLD属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的AFGHL40T120RLD晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。

技术参数

更多
  • 产品编号:

    AFGHL40T120RLD

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 包装:

    托盘

  • IGBT 类型:

    沟槽型场截止

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    2.1V @ 15V,40A

  • 开关能量:

    3.4mJ(开),1.2mJ(关)

  • 输入类型:

    标准

  • 25°C 时 Td(开/关)值:

    48ns/208ns

  • 测试条件:

    600V,40A,5 欧姆,15V

  • 工作温度:

    -55°C ~ 175°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-247-3

  • 供应商器件封装:

    TO-247-3

  • 描述:

    1200V/40A FSII IGBT LOW VCESAT T

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