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AFGHL30T65RQDN数据手册分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF
| 厂商型号 |
AFGHL30T65RQDN |
| 参数属性 | AFGHL30T65RQDN 封装/外壳为TO-247-3；包装为卷带（TR）；类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单；产品描述：650V/30A FS4 SCR IGBT T0247-3L A |
| 功能描述 | IGBT - 650 V 30 A - Short circuit rated FS4 - Automotive qualified |
| 封装外壳 | TO-247-3 |
| 制造商 | ONSEMI ON Semiconductor |
| 中文名称 | 安森美半导体 安森美半导体公司 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-6 16:04:00 |
| 人工找货 | AFGHL30T65RQDN价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
AFGHL30T65RQDN规格书详情
描述 Description
Using novel field stop IGBT technology, ON Semiconductor’s new series of FS4 IGBTs offer the optimum performance for automotive applications. This technology is Short circuit rated and offers high figure of merit with low conduction and switching losses.
特性 Features
• AEC Q101 qualified
• suitable for automotive application
• Maximum Junction Temperature : TJ = 175℃
• Higher Reliability
• Positive Temperature Co-efficient
• Easy Parallel Operating
• Low Saturation Voltage
• Low Conduction Losses
• Tighten Parameter Distribution
• Suitable for Paralling
• High Current Capability
• Short circuit rated
应用 Application
• E-compressor
• PTC heater
• Hybrid electric vehicles
• Electric vehicles
简介
AFGHL30T65RQDN属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的AFGHL30T65RQDN晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种具有三个端子的多层半导体器件，能够处理大电流，具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。
技术参数
更多- 产品编号：
AFGHL30T65RQDN
- 制造商：
onsemi
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 系列：
Automotive, AEC-Q101
- 包装：
卷带（TR）
- IGBT 类型：
场截止
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
1.82V @ 15V，30A
- 开关能量：
340µJ（开），320µJ（关）
- 输入类型：
标准
- 25°C 时 Td（开/关）值：
18ns/68ns
- 测试条件：
400V，15A，2.5 欧姆，15V
- 工作温度：
-55°C ~ 175°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-247-3
- 供应商器件封装：
TO-247-3
- 描述：
650V/30A FS4 SCR IGBT T0247-3L A
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON/安森美 |
25+ |
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Onsemi |
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