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AFGB30T65SQDN中文资料IGBT 650V FS4 高速版，适用于 OBC 应用，D2PAK 封装数据手册ONSEMI规格书
AFGB30T65SQDN规格书详情
描述 Description
Using the novel field stop 4th generation IGBT technology and AEC-Q101 Qualified. AFGB30T65SQDN offers the optimum performance with both low conduction loss and switching loss for a high efficiency operation in various applications.
特性 Features
• AEC-Q101 Qualified
• For Automotive
• VCE(sat) = 1.6 V (typ.) @ IC = 30 A
• Low conduction loss
• Low VF soft recoveryco-packaged diode
• Low noise and conduction loss
应用 Application
• Automotive On Board Charger
• Automotive DC/DCC converter for HEV
• EV/PHEV
技术参数
- 制造商编号
：AFGB30T65SQDN
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- AEC Qualified
：A
- PPAP Capablee
：P
- Status
：Active
- V(BR)CES Typ (V)
：650
- IC Max (A)
：30
- VCE(sat) Typ (V)
：1.6
- VF Typ (V)
：1.5
- Eoff Typ (mJ)
：0.16
- Eon Typ (mJ)
：0.786
- Trr Typ (ns)
：131
- Gate Charge Typ (nC)
：56
- Short Circuit Withstand (µs)
：-
- EAS Typ (mJ)
：-
- PD Max (W)
：220
- Co-Packaged Diode
：Yes
- Package Type
：D2PAK-3/TO-263-2
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON/安森美 |
24+ |
NA/ |
11250 |
原装现货,当天可交货,原型号开票 |
询价 | ||
MAXIM/美信 |
2407+ |
SOT23-5 |
7750 |
原装现货!实单直说!特价! |
询价 | ||
ON(安森美) |
23+ |
标准封装 |
8000 |
正规渠道,只有原装! |
询价 | ||
ON |
24+ |
D2PAK-3 / TO-263-2 |
25000 |
ON全系列可订货 |
询价 | ||
ON(安森美) |
23+ |
9786 |
公司只做原装正品,假一赔十 |
询价 | |||
ON(安森美) |
23+ |
NA |
20094 |
正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持 |
询价 | ||
ON(安森美) |
23+ |
标准封装 |
5000 |
原厂原装现货订货价格优势终端BOM表可配单提供样品 |
询价 | ||
ON(安森美) |
24+ |
标准封装 |
8000 |
原厂原装现货订货价格优势终端BOM表可配单提供样品 |
询价 | ||
ON/安森美 |
23+ |
TO263 |
6500 |
专注配单,只做原装进口现货 |
询价 | ||
ON(安森美) |
25+ |
封装 |
500000 |
源自原厂成本,高价回收工厂呆滞 |
询价 |
