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AFGB30T65SQDN数据手册ONSEMI中文资料规格书

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厂商型号

AFGB30T65SQDN

功能描述

IGBT 650V FS4 高速版,适用于 OBC 应用,D2PAK 封装

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体 安森美半导体公司

数据手册

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更新时间

2025-8-6 23:00:00

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AFGB30T65SQDN规格书详情

描述 Description

Using the novel field stop 4th generation IGBT technology and AEC-Q101 Qualified. AFGB30T65SQDN offers the optimum performance with both low conduction loss and switching loss for a high efficiency operation in various applications.

特性 Features

• AEC-Q101 Qualified
• For Automotive
• VCE(sat) = 1.6 V (typ.) @ IC = 30 A
• Low conduction loss
• Low VF soft recoveryco-packaged diode
• Low noise and conduction loss

应用 Application

• Automotive On Board Charger
• Automotive DC/DCC converter for HEV
• EV/PHEV

技术参数

  • 制造商编号

    :AFGB30T65SQDN

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • AEC Qualified

    :A

  • PPAP Capablee

    :P

  • Status

    :Active

  • V(BR)CES Typ (V)

    :650

  • IC Max (A)

    :30

  • VCE(sat) Typ (V)

    :1.6

  • VF Typ (V)

    :1.5

  • Eoff Typ (mJ)

    :0.16

  • Eon Typ (mJ)

    :0.786

  • Trr Typ (ns)

    :131

  • Gate Charge Typ (nC)

    :56

  • Short Circuit Withstand (µs)

    :-

  • EAS Typ (mJ)

    :-

  • PD Max (W)

    :220

  • Co-Packaged Diode

    :Yes

  • Package Type

    :D2PAK-3/TO-263-2

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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