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AFGHL40T65SQD数据手册分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF
| 厂商型号 |
AFGHL40T65SQD |
| 参数属性 | AFGHL40T65SQD 封装/外壳为TO-247-3；包装为管件；类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单；产品描述：AEC 101 QUALIFIED, 650V, 40A FIE |
| 功能描述 | AEC 101 Qualified, 650V, 40A Fieldstop 4 trench IGBT |
| 封装外壳 | TO-247-3 |
| 制造商 | ONSEMI ON Semiconductor |
| 中文名称 | 安森美半导体 安森美半导体公司 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-6 23:00:00 |
| 人工找货 | AFGHL40T65SQD价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
AFGHL40T65SQD规格书详情
描述 Description
Using the novel field stop 4th generation high speed IGBT technology. AFGHL40T65SQD which is AEC Q101 qualified offers the optimum performance for both hard and soft switching topology in automotive application.
特性 Features
• AEC Q101 qualified
• Applicable to automotive aplication
• Maximum Junction Temperature, Tj=175°C
• Higher reliability
• Very low switching and conduction losses
• Positive temperature co-efficient
• Tight parameter distribution
• Fast Switching
• Low Saturation Voltage: Vcesat=1.6V(Typ.)@Ic=75A
• 100% of the parts are tested for ILM
应用 Application
• PFC
• Hard Switching
• DC-DC Converter
• Automotive
• xEV On & Off board charger
• Industrial inverter
• PTC
简介
AFGHL40T65SQD属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的AFGHL40T65SQD晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种具有三个端子的多层半导体器件，能够处理大电流，具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。
技术参数
更多- 制造商编号
：AFGHL40T65SQD
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- AEC Qualified
：A
- Halide free
：H
- PPAP Capablee
：P
- Status
：Active
- V(BR)CES Typ (V)
：650
- IC Max (A)
：40
- VCE(sat) Typ (V)
：1.6
- VF Typ (V)
：2.2
- Eoff Typ (mJ)
：0.052
- Eon Typ (mJ)
：0.138
- Trr Typ (ns)
：31.8
- Irr Typ (A)
：N/A
- Gate Charge Typ (nC)
：80
- Short Circuit Withstand (µs)
：N/A
- EAS Typ (mJ)
：N/A
- PD Max (W)
：238
- Co-Packaged Diode
：Yes
- Package Type
：TO-247-3LD
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
onsemi(安森美) |
24+ |
TO-247 |
1224 |
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24+ |
NA/ |
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ON |
24+ |
TO-247-3LD |
25000 |
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ON/安森美 |
23+ |
TO-247 |
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ON/安森美 |
22+ |
TO-247 |
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ON(安森美) |
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24+ |
TO-247 |
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