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AFGH4L60T120RWD-STD	文件：258.97 Kbytes Page：9 Pages	IGBT – Power, Co-PAK N-Channel, Field Stop VII (FS7), SCR, TO247-4L 1200 V, 1.68 V, 60 A Description Usingthenovelfieldstop7thgenerationIGBTtechnologyandthe Gen7DiodeinTO2474−leadpackage,thisdeviceoffersgood performancewithlowonstatevoltageandlowswitchinglossesfor bothhardandsoftswitchingtopologiesinautomotiveapplications. Features Extremel	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
AFGH4L60T120RW-STD	文件：247.85 Kbytes Page：8 Pages	IGBT–Power,SingleN-Channel,FieldStopVII(FS7),SCR,TO247-4L1200V,1.66V,60A Description Usingthenovelfieldstop7thgenerationIGBTtechnologyin TO2474−leadpackage,thisdeviceoffersgoodperformancewithlow onstatevoltageandlowswitchinglossesforbothhardandsoft switchingtopologiesinautomotiveapplications. Features ExtremelyEfficientTrench	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

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AFGH4L60T120RWD-STD

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IGBT – Power, Co-PAK N-Channel, Field Stop VII (FS7), SCR, TO247-4L 1200 V, 1.68 V, 60 A

Description Usingthenovelfieldstop7thgenerationIGBTtechnologyandthe Gen7DiodeinTO2474−leadpackage,thisdeviceoffersgood performancewithlowonstatevoltageandlowswitchinglossesfor bothhardandsoftswitchingtopologiesinautomotiveapplications. Features Extremel

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

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AFGH4L60T120RW-STD

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IGBT–Power,SingleN-Channel,FieldStopVII(FS7),SCR,TO247-4L1200V,1.66V,60A

Description Usingthenovelfieldstop7thgenerationIGBTtechnologyin TO2474−leadpackage,thisdeviceoffersgoodperformancewithlow onstatevoltageandlowswitchinglossesforbothhardandsoft switchingtopologiesinautomotiveapplications. Features ExtremelyEfficientTrench

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更多AFGH4L60T120RWD-STD供应商更新时间2025-5-23 14:47:00

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