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AFGH4L60T120RW-STD中文资料安森美半导体数据手册PDF规格书

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厂商型号

AFGH4L60T120RW-STD

功能描述

IGBT – Power, Single N-Channel, Field Stop VII (FS7), SCR, TO247-4L 1200 V, 1.66 V, 60 A

文件大小

247.85 Kbytes

页面数量

8

生产厂商

ONSEMI

中文名称

安森美半导体

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数据手册

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更新时间

2025-10-13 14:53:00

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AFGH4L60T120RW-STD规格书详情

描述 Description

Using the novel field stop 7th generation IGBT technology in

TO247 4−lead package, this device offers good performance with low

on state voltage and low switching losses for both hard and soft

switching topologies in automotive applications.

特性 Features

 Extremely Efficient Trench with Field Stop Technology

 Maximum Junction Temperature − TJ =175C

 Short Circuit Rated and Low Saturation Voltage

 Fast Switching and Tightened Parameter Distribution

 AEC−Q101 Qualified, PPAP Available Upon Request

 This Device is Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and is RoHS

Compliant

Applications

 Automotive E−compressor / Automotive EV PTC Heater / OBC

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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