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ADS120J001B3	文件：844.73 Kbytes Page：7 Pages	3 rd Generation 120 0 V/ 1 A SiC Schottky Barrier Diode Revolutionary semiconductor material Silicon Carbide (SiC) N o reverse recovery High s peed switching performance Temperature independent switching behavior System cost / size savings due to reduced cooling requirements J unction temperature range from 55 to 175 RoHS compliant 文件：844.73 Kbytes 页数：7 Pages	SANAN 三安光电	SANAN
ADS120J001B3	文件：300 bytes Page：1 Pages	碳化硅二极管	HunanSanan 湖南三安	HunanSanan
ADS1210P	文件：0 bytes Page：0 Pages	PDIP-18	TI 德州仪器上传：深圳市安富世纪电子有限公司	TI
ADS1210U	文件：0 bytes Page：0 Pages	SOP	AD 亚德诺上传：深圳市科恒伟业电子有限公司	AD
ADS1210U	文件：0 bytes Page：0 Pages	SOP	TI 德州仪器上传：深圳市科恒伟业电子有限公司	TI

技术参数

Qualification：
Automotive
VDC (V)min：
1200
IF (A)max：
1
Generation：
G3
VF (V)@Tj=25℃：
1.35
VF (V)@Tj=175℃：
1.80
IR (uA)@Tj=25℃：
1
QC (nC)：
6.4
Tj (℃)：
-55℃~175℃
Configuration：
single chip
Package：
Bare die

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更多ADS120J001B3供应商更新时间2026-2-4 10:30:00

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