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ADS065J020E3	文件：1.08429 Mbytes Page：9 Pages	丝印：DS065020E3；Package：TO-263-2L；3 rd Generation 650V /20A SiC Schottky Barrier Diode AEC Q 101 qualified Revolutionary semiconductor material Silicon Carbide (SiC) N o reverse recovery High speed switching performance Temperature independent switching behavior System cost / size savings due to reduced cooling requirements J unction temperature range from 55 to 175 RoHS comp 文件：1.08429 Mbytes 页数：9 Pages	SANAN 三安光电	SANAN
ADS065J020E3	文件：300 bytes Page：1 Pages	碳化硅二极管	HunanSanan 湖南三安	HunanSanan
ADS1000A0IDBVR	文件：0 bytes Page：0 Pages	NA	Texas Instruments 上传：上海皇华信息科技有限公司	Texas Instruments
ADS1000A1IDBVR	文件：0 bytes Page：0 Pages	NA	Texas Instruments 上传：上海皇华信息科技有限公司	Texas Instruments
ADS1013IRUGT	文件：0 bytes Page：0 Pages	X2QFN-10	TI/德州仪器上传：深圳市华宇金电子有限公司	TI/德州仪器

技术参数

Qualification：
Automotive
VDC (V)min：
650
IF (A)max：
20
Generation：
G3
VF (V)@Tj=25℃：
1.35
VF (V)@Tj=175℃：
1.70
IR (uA)@Tj=25℃：
2
QC (nC)：
55
Ptot (W)@Tc=25℃：
178
Tj (℃)：
-55℃~175℃
Configuration：
single chip
Package：
TO263-2L

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多ADS065J020E3供应商更新时间2026-1-29 13:26:00

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