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ADP300120W2-L	文件：300 bytes Page：1 Pages	Automotive-grade ACEPACK DRIVE power module, sixpack topology 1200 V, 3.5 mOhm typ. SiC MOSFET gen.2 based 所有功能AQG 324 qualified1200 V blocking voltage3.5 mΩ of typical RDS(on)Maximum operative junction temperature TJop = 175 °CVery low switching energyLow inductive compact design for an higher power density • AQG 324 qualified\n• 1200 V blocking voltage\n• 3.5 mΩ of typical RDS(on)\n• Maximum operative junction temperature TJop = 175 °C\n• Very low switching energy\n• Low inductive compact design for an higher power density• Si3N4 AMB substrate to improve thermal performance\n• SiC Power MOSFET chip si;	ST 意法半导体	ST
ADP3161JR	文件：0 bytes Page：0 Pages	-	ADI 上传：深圳市佳斯泰科技有限公司	ADI
ADP3163	文件：0 bytes Page：0 Pages	TSSOP20	AD 亚德诺上传：深圳市卓越微芯电子有限公司	AD
ADP3163J	文件：0 bytes Page：0 Pages	TSSOP	AD 亚德诺上传：深圳市宏捷佳电子科技有限公司	AD
ADP3180JRU	文件：0 bytes Page：0 Pages	TSSOP28	ADI/亚德诺上传：深圳市鼎欣微电子有限公司	ADI/亚德诺

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更多ADP300120W2-L供应商更新时间2025-12-14 16:30:00