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EVAL-ADMX3652Z-INT	文件：365.31 Kbytes Page：12 Pages	6½Digit,±20VDigitalVoltageMeter GENERALDESCRIPTION TheADMX36526½digit,digitalvoltagemeter(DVM)offersfast throughput(1kSPS),flexiblemeasurements(manualorautomatic selectionrange),andtrustworthyresults(25ppmofmeasurement accuracyfor90daysunder2Vrange).TheADMX3652providesa compactsolutionw	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
FDB3652	文件：272.25 Kbytes Page：11 Pages	N-ChannelPowerTrenchMOSFET100V,61A,16m? Features •rDS(ON)=14mΩ(Typ.),VGS=10V,ID=61A •Qg(tot)=41nC(Typ.),VGS=10V •LowMillerCharge •LowQRRBodyDiode •UISCapability(SinglePulseandRepetitivePulse) •QualifiedtoAECQ101 Applications •DC/DCConvertersandOff-lineUPS •DistributedPowerArchitectures	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDI3652	文件：272.25 Kbytes Page：11 Pages	N-ChannelPowerTrenchMOSFET100V,61A,16m? Features •rDS(ON)=14mΩ(Typ.),VGS=10V,ID=61A •Qg(tot)=41nC(Typ.),VGS=10V •LowMillerCharge •LowQRRBodyDiode •UISCapability(SinglePulseandRepetitivePulse) •QualifiedtoAECQ101 Applications •DC/DCConvertersandOff-lineUPS •DistributedPowerArchitectures	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDI3652	文件：325.35 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=61A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=16mΩ(Max) ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·Designedforuseinswitchmo	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
FDP3652	文件：272.25 Kbytes Page：11 Pages	N-ChannelPowerTrenchMOSFET100V,61A,16m? Features •rDS(ON)=14mΩ(Typ.),VGS=10V,ID=61A •Qg(tot)=41nC(Typ.),VGS=10V •LowMillerCharge •LowQRRBodyDiode •UISCapability(SinglePulseandRepetitivePulse) •QualifiedtoAECQ101 Applications •DC/DCConvertersandOff-lineUPS •DistributedPowerArchitectures	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDP3652	文件：332.91 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=61A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=16mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCcon	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
GPDR3652	文件：112.75 Kbytes Page：1 Pages	RECTIFIERDIODE RECTIFIERDIODE VOLTAGEUPTO2400V AVERAGECURRENT6520A SURGECURRENT60kA	GPSEMI Green Power Solutions srl	GPSEMI
GPDR3652	文件：150.43 Kbytes Page：2 Pages	RECTIFIERDIODE	GPSEMI Green Power Solutions srl	GPSEMI
HP-3652-B	文件：179.54 Kbytes Page：2 Pages	HANDHELDPLASTICSTYLE2	BUD Bud Industries, Inc.	BUD
JHV3652	文件：108.83 Kbytes Page：2 Pages	HIGHVOLTAGERECTIFIERASSEMBLY	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi

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