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ADM92N03	文件：500.93 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Features: ● Low Gate Charge for Fast Switching Application ● Low RDS(ON) to Minimize Conductive Loss ● 100% EAS Guaranteed ● Optimized V(BR)DSS Ruggedness ● Lead-Free,RoHS Compliant Description: The ADM92N03 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with 文件：500.93 Kbytes 页数：5 Pages	ADV 爱德微	ADV
ADM92N03	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOSFET	ADV 爱德微	ADV
ADMC300BSTZ	文件：0 bytes Page：0 Pages	AD QFP	AD 亚德诺上传：上海鑫科润电子科技有限公司	AD
ADMTV102ACPZR	文件：0 bytes Page：0 Pages	ADI/亚德诺原封装	ADI/亚德诺上传：深圳市纳睿斯电子科技有限公司	ADI/亚德诺
ADMV1013ACCZ	文件：0 bytes Page：0 Pages	ADI 40-WFLGA	ADI 上传：深圳市嘉联合科技有限公司	ADI

技术参数

Configuration：
Single
Polarity：
N
ID（25℃）：
92
RDS(on) mΩ(Max)VGS=10V：
1.9
RDS(on) mΩ(Max)VGS=4.5V：
2.4
VGS：
±20
VGS（th)：
2.5
Package：
PDFN5*6
Qg (nC)：
42.8

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多ADM92N03供应商更新时间2025-10-10 16:20:00

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