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ADM50N06	文件：952.54 Kbytes Page：6 Pages	丝印：ADM50N06；Package：TO-220C；N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Features: ● Low Gate Charge for Fast Switching Application ● Low RDS(ON) to Minimize Conductive Loss ● 100% EAS Guaranteed ● Optimized V(BR)DSS Ruggedness ● Lead-Free,RoHS Compliant Description: The ADM50N06 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with 文件：952.54 Kbytes 页数：6 Pages	ADV 爱德微	ADV
ADM50N06	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOSFET	ADV 爱德微	ADV
ADM50N06E	文件：510.34 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor 文件：510.34 Kbytes 页数：6 Pages	ADV 爱德微	ADV
ADM50N06E	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOSFET	ADV 爱德微	ADV

技术参数

Configuration：
Single
Polarity：
N
ID(25℃)A：
50
RDS(on)mΩ(Max)/VGS=10V：
20
VGS[±V]：
20
VGS(th)(max V)：
2.5
Package：
TO220C
Qg (nC)：
30

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多ADM50N06供应商更新时间2025-10-7 16:50:00

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