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CEU30P10A	文件：453.23 Kbytes Page：5 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES -100V,-29A,RDS(ON)=55mW@VGS=-10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-251&TO-252package. RoHScompliant. Pb-freeleadplating;RoHScompliant. HalogenFree. RDS(ON)=60mW@VGS=-4.5V. Switchedmode	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET-MOS
HM30P10K	文件：575.49 Kbytes Page：7 Pages	P-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 华之美半导体深圳市华之美半导体有限公司	HMSEMI
LMAK30P10	文件：1.6567 Mbytes Page：6 Pages	P-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	LEIDITECHShanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd 雷卯电子上海雷卯电子科技有限公司	LEIDITECH
LMAK30P10K	文件：1.00858 Mbytes Page：6 Pages	P-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	LEIDITECHShanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd 雷卯电子上海雷卯电子科技有限公司	LEIDITECH
LMFB30P10K	文件：1.10206 Mbytes Page：6 Pages	LCEP-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	LEIDITECHShanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd 雷卯电子上海雷卯电子科技有限公司	LEIDITECH
NCE30P10S	文件：282.38 Kbytes Page：7 Pages	NCEP-ChannelEnhancementModePowerMOSFET Description TheNCE30P10Susesadvancedtrenchtechnologytoprovide excellentRDS(ON),lowgatechargeandoperationwithgate voltagesaslowas4.5V.Thisdeviceissuitableforuseasa loadswitchorinPWMapplications. GeneralFeatures ●VDS=-30V,ID=-10A RDS(ON)	NCEPOWERWuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd 无锡新洁能股份无锡新洁能股份有限公司	NCEPOWER
SK30P10	文件：1.43344 Mbytes Page：6 Pages	P-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	SKTECHNOLGYSHIKE Electronics 时科广东时科微实业有限公司	SKTECHNOLGY
YJG30P10A	文件：741.98 Kbytes Page：5 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor	YANGJIEYangzhou yangjie electronic co., ltd 扬州扬杰电子扬州扬杰电子科技股份有限公司	YANGJIE
YJP30P10A	文件：739.45 Kbytes Page：6 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor	YANGJIEYangzhou yangjie electronic co., ltd 扬州扬杰电子扬州扬杰电子科技股份有限公司	YANGJIE

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