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ADM250N04	文件：645.34 Kbytes Page：6 Pages	Marking：ADM250N04；Package：TO-220C；N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Features: ●LowGateChargeforFastSwitchingApplication ●LowRDS(ON)toMinimizeConductiveLoss ●100%EASGuaranteed ●OptimizedV(BR)DSSRuggedness ●Lead-Free,RoHSCompliant Description: TheADM250N04seriesMOSFETsisanewtechnology,whichcombinesaninnovativesuperjunct	ADVAdvanced (Shenzhen) Electronics Co.,Ltd 爱德微爱德微(深圳)电子有限公司	ADV
ADM250N04G	文件：645.27 Kbytes Page：6 Pages	Marking：ADM250N04G；Package：TO-263-2；N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Features: ●LowGateChargeforFastSwitchingApplication ●LowRDS(ON)toMinimizeConductiveLoss ●100%EASGuaranteed ●OptimizedV(BR)DSSRuggedness ●Lead-Free,RoHSCompliant Description: TheADM250N04GseriesMOSFETsisanewtechnology,whichcombinesaninnovativesuperjunc	ADVAdvanced (Shenzhen) Electronics Co.,Ltd 爱德微爱德微(深圳)电子有限公司	ADV

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Marking：ADM250N04；Package：TO-220C；N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

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Marking：ADM250N04G；Package：TO-263-2；N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

Features: ●LowGateChargeforFastSwitchingApplication ●LowRDS(ON)toMinimizeConductiveLoss ●100%EASGuaranteed ●OptimizedV(BR)DSSRuggedness ●Lead-Free,RoHSCompliant Description: TheADM250N04GseriesMOSFETsisanewtechnology,whichcombinesaninnovativesuperjunc

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更多ADM250N04供应商更新时间2025-7-24 15:20:00

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