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ADM10N03S	文件：655.67 Kbytes Page：6 Pages	N -C hannel E nhancem ent M ode Field E ffect Transistor 文件：655.67 Kbytes 页数：6 Pages	ADV 爱德微	ADV
ADM10N03S	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOSFET	ADV 爱德微	ADV
G10N03S	文件：1.10788 Mbytes Page：6 Pages	N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The G10N03S uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. Application l Power switch l DC/DC converters 文件：1.10788 Mbytes 页数：6 Pages	GOFORD 谷峰半导体	GOFORD
HM10N03D	文件：760.93 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET 文件：760.93 Kbytes 页数：6 Pages	HMSEMI 华之美半导体	HMSEMI
IPB10N03L	文件：452.29 Kbytes Page：8 Pages	OptiMOS Buck converter series 文件：452.29 Kbytes 页数：8 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON

技术参数

Configuration：
Single
Polarity：
N
ID(25℃)A：
10
RDS(on)mΩ(Max)/VGS=10V：
16
RDS(on)mΩ(Max)/VGS=4.5V：
25
VGS[±V]：
20
VGS(th)(max V)：
2.5
Package：
SO-8
Qg (nC)：
12

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