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AIZ-801	文件：76.32 Kbytes Page：2 Pages	AIZSeriesPassive10-TapDIP/SMDDelayModules	RHOMBUS-IND Rhombus Industries Inc.	RHOMBUS-IND
AMZ-801	文件：42.42 Kbytes Page：1 Pages	AMZ&AMYSeriesPassive5-TapDIP/SMDDelayModules	RHOMBUS-IND Rhombus Industries Inc.	RHOMBUS-IND
ARINC801	文件：2.24442 Mbytes Page：6 Pages	ARINC801FiberOpticConnectors	SOURIAU SOURIAU-SUNBANK Connection Technologies	SOURIAU
ARINC801	文件：706.05 Kbytes Page：7 Pages	RobustMultiwaysSinglemodeConnection	SOURIAU SOURIAU-SUNBANK Connection Technologies	SOURIAU
AWT801-S	文件：651.59 Kbytes Page：16 Pages	surface-mountLED	SEOUL Seoul Semiconductor Co., Ltd.	SEOUL
B801	文件：114.69 Kbytes Page：9 Pages	SatelliteReceiverFilter	EPCOSEPCOS - TDK Electronics 爱普科斯爱普科斯与TDK元件事业部	EPCOS
BD801	文件：138.09 Kbytes Page：3 Pages	EPITAXIAL-BASE,SILICONN-P-NANDP-N-PVERSAWATTTRANSISTORS Epitaxial-Base,SiliconN-P-NandP-N-PVERSAWATTTransistors	IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社	Intersil
BD801	文件：93.59 Kbytes Page：4 Pages	PlasticHighPowerSiliconNPNTransistor PlasticHighPowerSiliconPNPTransistor ...designedforuseupto30Wattaudioamplifiersutilizingcomplementaryorquasicomplementarycircuits. •DCCurrentGain—hFE=40(Min)@IC=1.0Adc •BD801iscomplementarywithBD798,800,802	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉	Motorola
BD801	文件：246.91 Kbytes Page：2 Pages	iscSiliconNPNPowerTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
BD801	文件：129.229 Kbytes Page：2 Pages	SiliconNPNPowerTransistor	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
BD-801RG	文件：149.64 Kbytes Page：1 Pages	LEDbracketlamp UseshighlyreliableLEDelements Lineupoflightingcolors,protectiveresistors,etc.	OKAYAOKAYA ELECTRIC INDUSTRIES CO., LTD. 冈谷电机工业株式会社	OKAYA
BF801	文件：116.07 Kbytes Page：1 Pages	DiscreteSemiconductors DiscretsSemiconductors FETsForVHFAmplifiersandMixers ForLowNoiseAmplifiers Lowleakage/NoiseCurrent DualGateMosfets(NChannelDepletion) Lowleakge	AMMSEMI American Microsemiconductor	AMMSEMI
BF801M	文件：181.67 Kbytes Page：3 Pages	LowCapacitanceandInsertionLoss	Bencent 槟城电子	Bencent
BIC801M	文件：82.08 Kbytes Page：12 Pages	BiasControlledMonolithicICVHF/UHFRFAmplifier Features •BiasControlledMonolithicIC(NoexternalDCbiasingvoltageongate1.);Toreduceusingpartscost&PCboardspace. •Highgain;PG=27dBtyp.(atf=200MHz),PG=21.5dBtyp.(atf=900MHz) •Lownoise;NF=1.1dBtyp.(atf=200MHz),NF=1.75dBtyp.(atf=900M	HitachiHitachi, Ltd. 日立公司	Hitachi
BM801M	文件：274.67 Kbytes Page：3 Pages	LowCapacitanceandInsertionLoss	Bencent 槟城电子	Bencent
BM801M	文件：304.89 Kbytes Page：3 Pages	GasDischargeTube	Bencent 槟城电子	Bencent
BR801	文件：86.77 Kbytes Page：2 Pages	SILICONBRIDGERECTIFIERS	EIC EIC	EIC
BR801	文件：144.41 Kbytes Page：2 Pages	SILICONBRIDGERECTIFIERS	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
BR801	文件：403.55 Kbytes Page：3 Pages	SiliconBridgeRectifiers	HYyueqing hongyi electronics co.,ltd 宏一乐清市宏一电子有限公司	HY
BR801	文件：93.84 Kbytes Page：6 Pages	BridgeRectifier	FORMOSAFormosa MS 美丽微半导体美丽微半导体股份有限公司	FORMOSA

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详细参数

型号：
ADG801BRM-REEL
功能描述：
IC SWITCH SPST 8MSOP
RoHS：
否
类别：
集成电路(IC) >> 接口 - 模拟开关，多路复用器，多路分解器
系列：
-
标准包装：
1,000
功能：
多路复用器
电路：
1 x
4：
1
导通状态电阻：
-
电压电源：
双电源电压 -
电源，单路/双路(±)：
±5V 电流 -
电源：
7mA
工作温度：
-40°C ~ 85°C
安装类型：
表面贴装
封装/外壳：
16-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
供应商设备封装：
16-SOIC
包装：
带卷(TR)

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