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FCX619	文件：52.08 Kbytes Page：2 Pages	NPNSiliconPowerSwitchingTransistor Features ●2Wpowerdissipation. ●6Apeakpulsecurrent. ●ExcellentHFEcharacteristicsupto6amps. ●ExtremelylowsaturationvoltageE.g.13mvTyp. ●Extremelylowequivalenton-resistance. RCE(sat)87mΩat2.75A.	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
FCX619	文件：581.66 Kbytes Page：3 Pages	SOT89NPNSILICONPOWER Features •BVCEO>50V •IC=3AHighContinuousCollectorCurrent •ICMupto6APeakPulseCurrent •2WPowerDissipation •LowSaturationVoltageVCE(sat)	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES

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