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CEM3115	文件：388.77 Kbytes Page：5 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES -30V,-12A,RDS(ON)=12mW@VGS=-10V. RDS(ON)=16mW@VGS=-4.5V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. SurfacemountPackage. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET-MOS
CPH3115	文件：54.66 Kbytes Page：5 Pages	DC/DCConverterApplications DC/DCConverterApplications Features •AdoptionofMBITprocesses. •Largecurrentcapacitance. •Lowcollector-to-emittersaturationvoltage. •High-speedswitching. •Ultrasmall-sizedpackagepermittingappliedsetstobemadesmallandslim(mountingheight:0.9mm). •Highallowablepo	SANYOSanyo Semicon Device 三洋三洋电机株式会社	SANYO
CPH3115	文件：634.46 Kbytes Page：7 Pages	BipolarTransistor(-)30V,(-)1.5A,LowVCE(sat),(PNP)NPNSingleCPH3 Features •AdoptionofMBITprocesses •Largecurrentcapacity •Lowcollector-to-emittersaturationvoltage •High-speedswitching •Ultrasmallpackagefacilitatesminiaturizationinendproducts(mountingheight:0.9mm) •Highallowablepowerdissipation •Halogenfreecompliance Applic	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
CPH3115-TL-E	文件：634.46 Kbytes Page：7 Pages	BipolarTransistor(-)30V,(-)1.5A,LowVCE(sat),(PNP)NPNSingleCPH3 Features •AdoptionofMBITprocesses •Largecurrentcapacity •Lowcollector-to-emittersaturationvoltage •High-speedswitching •Ultrasmallpackagefacilitatesminiaturizationinendproducts(mountingheight:0.9mm) •Highallowablepowerdissipation •Halogenfreecompliance Applic	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
CPH3115-TL-H	文件：634.46 Kbytes Page：7 Pages	BipolarTransistor(-)30V,(-)1.5A,LowVCE(sat),(PNP)NPNSingleCPH3 Features •AdoptionofMBITprocesses •Largecurrentcapacity •Lowcollector-to-emittersaturationvoltage •High-speedswitching •Ultrasmallpackagefacilitatesminiaturizationinendproducts(mountingheight:0.9mm) •Highallowablepowerdissipation •Halogenfreecompliance Applic	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
CZRB3115	文件：66.41 Kbytes Page：3 Pages	SurfaceMountZenerDiodes	COMCHIPComchip Technology 典琦典琦科技股份有限公司	COMCHIP
DMN3115UDM	文件：118.2 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEFIELDEFFECTTRANSISTOR Description ThisnewgenerationMOSFEThasbeendesignedtominimizetheon-stateresistance(RDS(on))andyetmaintainsuperiorswitchingperformance,makingitidealforhighefficiencypowermanagementapplications. Features •LowOn-Resistance •VeryLowGateThresholdVoltage •LowInput	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
EK-3115	文件：151.83 Kbytes Page：8 Pages	Electretcondensermicrophone-SupplyVoltagerange:0.9to10VDC	KNOWLESKnowles Electronics 楼氏电子楼氏电子(苏州)有限公司	KNOWLES
EPC3115S-X	文件：39.82 Kbytes Page：1 Pages	Push-PullLowPowerTransformer	PCA PCA ELECTRONICS INC.	PCA
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