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AD9956-VCOSLASHPCB	文件：582.72 Kbytes Page：12 Pages	EvaluationBoardfor2.7GHzDDS-BasedAgileRF??Synthesizer	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
AD9956YCPZ	文件：535.27 Kbytes Page：32 Pages	2.7GHzDDS-BasedAgileRFTMSynthesizer FEATURES 400MSPSinternalDDSclockspeed 48-bitfrequencytuningword 14-bitprogrammablephaseoffset Integrated14-bitDAC Excellentdynamicperformance Phasenoise≤135dBc/Hz@1KHzoffset −80dBSFDR@160MHz(±100KHzoffsetIOUT) 25Mb/swrite-speedserialI/Ocontrol 200MHz	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
AD9956YCPZ-REEL	文件：535.27 Kbytes Page：32 Pages	2.7GHzDDS-BasedAgileRFTMSynthesizer FEATURES 400MSPSinternalDDSclockspeed 48-bitfrequencytuningword 14-bitprogrammablephaseoffset Integrated14-bitDAC Excellentdynamicperformance Phasenoise≤135dBc/Hz@1KHzoffset −80dBSFDR@160MHz(±100KHzoffsetIOUT) 25Mb/swrite-speedserialI/Ocontrol 200MHz	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
AE9956	文件：45.74 Kbytes Page：1 Pages	Cat5eUTPPatchCable	ASSMANN ASSMANN WSW COMPONENTS	ASSMANN
CEM9956A	文件：1.027069 Mbytes Page：9 Pages	DualN-Channel30-V(D-S)MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21Definition •TrenchFET®PowerMOSFET •100UISTested •100RgTested •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS •SetTopBox •LowCurrentDC/DC	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
CEM9956A	文件：502.16 Kbytes Page：5 Pages	DualN-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ●30V,3.7A,RDS(ON)=80mΩ@VGS=10V.RDS(ON)=110mΩ@VGS=4.5V. ●SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ●Highpowerandcurrenthandingcapability. ●SurfaceMountPackage.	CETChino-Excel Technology 华瑞华瑞股份有限公司	CET
CHM9956AJPT	文件：201.16 Kbytes Page：2 Pages	DualN-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor VOLTAGE20VoltsCURRENT48Ampere FEATURE SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. Smallpackage.(TO-252A) APPLICATION Servomotorcontrol. PowerMOSFETgatedrivers. Otherswitchingapplications. CONSTRUCTION *N-Ch	CHENMKOCHENMKO ENTERPRISE CO., LTD. 力勤力勤股份有限公司	CHENMKO
IRF9956	文件：475.86 Kbytes Page：7 Pages	30V2N-ChannelMOSFET Features GenerationVTechnology UltraLowOn-Resistance SurfaceMount VeryLowGateChargeandSwitchingLosses FullyAvalancheRated Lead-Free VDS(V)=30V ID=2.2A(VGS=-10V) RDS(ON)	UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd. 友台半导体广东友台半导体有限公司	UMW
IRF9956	文件：107.92 Kbytes Page：7 Pages	PowerMOSFET(Vdss=30V,Rds(on)=0.10ohm) Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide	IRF International Rectifier	IRF
IRF9956PBF	文件：175.44 Kbytes Page：7 Pages	ULTRALOWONTESISTANCE	IRF International Rectifier	IRF

详细参数

型号：
AD9956/PCB
制造商：
Analog Devices
功能描述：
Evaluation Board For AD9956, 2.7 GHz DDS-Based AgileRF Synthesizer
功能描述：
EVAL BD FOR AD9956, 2.7 GHZ DDS-BASED AGILERF SYNTHESIZER - Trays
制造商：
Rochester Electronics LLC
功能描述：
400 MSPS 14 BIT DDS EVAL BD. - Bulk

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