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AN587	文件：30.8 Kbytes Page：3 Pages	TRANSISTORPROTECTIONBYTRANSIL INTRODUCTION Inalargenumberofapplications,wefindthecircuitinFig.1whereaTRANSIL™isusedtoprotectaswitchthatcontrolsaninductiveload.TheswitchcanbeabipolaroraMOStransistor. ThepurposeofthispaperistocalculatethedissipatedpowerintheTRANSIL™andthepuls	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
ASMB-587	文件：429.47 Kbytes Page：2 Pages	LGA1200Intel®Xeon®W&10thGen.Core™MicroATXServerBoardwith4xDDR4,3xPCIe,6xUSB3.2,5xSATA3,Quad/DualLANs,andIPMI Features LGA1200Intel®Xeon®Wand10thGen.Core™i9/i7/i5/i3processorwith W480Echipset DDR4ECC/Non-ECC2933/2666/2400MHzUDIMMupto128GB OnePCIex16and2xPCIex4slots Tripledisplays-DVI-D,VGA,andHDMI2.0ports FiveSATA3portsandsixUSB3.2ports OneM.	ADVANTECHAdvantech Co., Ltd. 研华科技研华科技（中国）有限公司	ADVANTECH
ATF587	文件：84.83 Kbytes Page：3 Pages	FASTSWITCHINGTHYRISTOR	POSEICO Power Semiconductors	POSEICO
B587	文件：749.73 Kbytes Page：2 Pages	Sub-MiniatureHighVoltageRectifiers Compacttubularconstructionandflexibleleadsfacilitatecircuitmounting,provideexcellentthermalconductivityandeliminatesharpedgestoreducecoronacommontolarge,rectangularpackages.Diodesaremanufacturedusingdoublejunctionsthatarebondedandselectedforuniformelectricalc	EDAL Edal Industries, Inc.	EDAL
BC587BS	文件：59.21 Kbytes Page：3 Pages	DUALPNPSURFACEMOUNTSMALLSIGNALTRANSISTOR Features •IdeallySuitedforAutomaticInsertion •ForSwitchingandAFAmplifierApplications •Ultra-SmallSurfaceMountPackage	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
BF587	文件：63.87 Kbytes Page：8 Pages	NPNhigh-voltagetransistors DESCRIPTION NPNtransistorsinaTO-202plasticpackage. FEATURES •Lowfeedbackcapacitance. APPLICATIONS •Foruseinvideooutputstagesofblackandwhiteandcolourtelevisionreceivers.	PHIPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	PHI
BF587	文件：43.1 Kbytes Page：8 Pages	NPNhigh-voltagetransistors DESCRIPTION NPNtransistorsinaTO-202plasticpackage. FEATURES •Lowfeedbackcapacitance. APPLICATIONS •Foruseinvideooutputstagesofblackandwhiteandcolourtelevisionreceivers.	PHIPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	PHI
BGY587	文件：15.5 Kbytes Page：3 Pages	CATVamplifiermodules DESCRIPTION HybridamplifiermodulesforCATVsystemsoperatingoverafrequencyrangeof40to550MHzatavoltagesupplyof24V(DC).TheBGY586isintendedforuseasapre-amplifierandBGY587asafinalamplifier. FEATURES •Excellentlinearity •Extremelylownoise •Siliconnitridep	PHIPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	PHI
BGY587	文件：101.8 Kbytes Page：8 Pages	550MHz,22dBgainpush-pullamplifier 1.1Generaldescription HybridamplifiermoduleinaSOT115Jpackage,operatingatasupplyvoltageof24V.The BGY587isintendedforuseasafinalamplifier. 1.2Featuresandbenefits Excellentlinearity Extremelylownoise Siliconnitridepassivation Ruggedconstruction Ti	ETC	ETC
BGY587B	文件：52.6 Kbytes Page：8 Pages	CATVamplifiermodule DESCRIPTION HybridamplifiermoduleforCATVsystemsoperatingoverafrequencyrangeof40to550MHzatavoltagesupplyof+24V(DC). FEATURES •Excellentlinearity •Extremelylownoise •Siliconnitridepassivation •Ruggedconstruction •TiPtAumetallizedcrystalsensureoptimalreli	PHIPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	PHI

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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