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AD-2SD1819A-R	文件：300 bytes Page：1 Pages	晶体管	JSCJ 长晶科技	JSCJ
2SD1819A	文件：148.2 Kbytes Page：2 Pages	NPN Silicon General Purpose Transistor FEATURES ● High DC Current Gain. ● Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat). ● Complementary to 2SB1218A APPLICATION ● General purpose amplification. 文件：148.2 Kbytes 页数：2 Pages	SECOS 喜可士	SECOS
2SD1819A	文件：387.59 Kbytes Page：2 Pages	NPN Plastic-Encapsulate Transistor 文件：387.59 Kbytes 页数：2 Pages	SECOS 喜可士	SECOS
2SD1819A	文件：46.34 Kbytes Page：1 Pages	Silicon NPN Epitaxial Planar Type Features High foward current transfer ratio hFE. Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat). 文件：46.34 Kbytes 页数：1 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN

技术参数

Polarity：
NPN
PCM(W)：
0.15
IC(A)：
0.1
VCBO(V)：
60
VCEO(V)：
50
VEBO(V)：
7
hFEMin：
210
hFEMax：
340
hFE@VCE(V)：
10
hFE@IC(A)：
0.002
VCE(sat)(V)：
0.3
VCE(sat)@IC(A)：
0.1
VCE(sat)@IB(A)：
0.01
Package：
SOT-323

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