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ACMS40N06D-HF	文件：668.94 Kbytes Page：7 Pages	丝印：085N06TD；Package：TO-252；MOSFET Features -Superlowon-resistance. -AEC-Q101Qualified. -Advancedshielded-gatetench technology. -ExcellentCdv/dteffectdecline. -Fastswitchingspeed.	COMCHIPComchip Technology 典琦典琦科技股份有限公司	COMCHIP
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DTU40N06	文件：2.36036 Mbytes Page：5 Pages	N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半导体有限公司	DOINGTER
DTU40N06	文件：278.63 Kbytes Page：7 Pages	TrenchFETPowerMOSFET	DINTEK Din-Tek Semiconductor	DINTEK
DTU40N06	文件：899.15 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel60-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
HM40N06D	文件：708.08 Kbytes Page：7 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 华之美半导体深圳市华之美半导体有限公司	HMSEMI
MS40N06	文件：585.05 Kbytes Page：8 Pages	AdvancedhighcelldensityTrenchtechnology	BWTECH Bruckewell Technology LTD	BWTECH
MTH40N06	文件：293.53 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=40A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=28mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
MTH40N06	文件：484.3 Kbytes Page：6 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSTRANSISTORS	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
MTH40N06FI	文件：484.3 Kbytes Page：6 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSTRANSISTORS	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS

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