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AD636KHZ	文件：473.54 Kbytes Page：16 Pages	LowLevel,TrueRMS-to-DCConverter FEATURES Truerms-to-dcconversion 200mVfullscale Laser-trimmedtohighaccuracy 0.5%maximumerror(AD636K) 1.0%maximumerror(AD636J) Wideresponsecapability Computesrmsofacanddcsignals 1MHz,−3dBbandwidth:Vrms>100mV Signalcrestfactorof6for0.5%error	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
ADG636	文件：147.68 Kbytes Page：12 Pages	1pCChargeInjection,100pALeakageCMOS5V/5V/3VDualSPDTSwitch GENERALDESCRIPTION TheADG636isamonolithicdevice,comprisingtwoindependentlyselectableCMOSsinglepole,doublethrow(SPDT) switches.Whenon,eachswitchconductsequallywellinboth directions. TheADG636operatesfromadual±2.7Vto±5.5Vsupply,orfromasinglesupplyof+2.7	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
ADG636	文件：498.96 Kbytes Page：16 Pages	1pCChargeInjection,100pALeakage	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
ADG636YRU	文件：147.68 Kbytes Page：12 Pages	1pCChargeInjection,100pALeakageCMOS5V/5V/3VDualSPDTSwitch GENERALDESCRIPTION TheADG636isamonolithicdevice,comprisingtwoindependentlyselectableCMOSsinglepole,doublethrow(SPDT) switches.Whenon,eachswitchconductsequallywellinboth directions. TheADG636operatesfromadual±2.7Vto±5.5Vsupply,orfromasinglesupplyof+2.7	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
ADG636YRU	文件：498.96 Kbytes Page：16 Pages	1pCChargeInjection,100pALeakage,CMOS,짹5V/5V/3VDualSPDTSwitch GENERALDESCRIPTION TheADG636isamonolithicdevice,comprisingtwoindependentlyselectableCMOSsinglepole,doublethrow(SPDT) switches.Whenon,eachswitchconductsequallywellinboth directions. TheADG636operatesfromadual±2.7Vto±5.5Vsupply,orfromasinglesupplyof+2.7	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
ADG636YRU-REEL	文件：498.96 Kbytes Page：16 Pages	1pCChargeInjection,100pALeakage,CMOS,짹5V/5V/3VDualSPDTSwitch GENERALDESCRIPTION TheADG636isamonolithicdevice,comprisingtwoindependentlyselectableCMOSsinglepole,doublethrow(SPDT) switches.Whenon,eachswitchconductsequallywellinboth directions. TheADG636operatesfromadual±2.7Vto±5.5Vsupply,orfromasinglesupplyof+2.7	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
AL-HG636A	文件：338.41 Kbytes Page：5 Pages	GreenSMDChipLEDLamps(0.6mmHeight)	A-BRIGHT A-BRIGHT Inc	A-BRIGHT
AL-HG636D	文件：339.61 Kbytes Page：5 Pages	GreenSMDChipLEDLamps(0.8mmHeight)	A-BRIGHT A-BRIGHT Inc	A-BRIGHT
AT636	文件：44.07 Kbytes Page：4 Pages	PHASECONTROLTHYRISTOR PHASECONTROLTHYRISTOR Repetitivevoltageupto1800V Meanon-statecurrent1965A Surgecurrent36kA	POSEICO Power Semiconductors	POSEICO
ATS636LSE	文件：814.15 Kbytes Page：15 Pages	ProgrammableBackBiasedHall-EffectSwitchwithTPOSFunctionality FEATURES ChopperStabilization Extremelylowswitch-pointdriftovertemperature On-chipProtection Supplytransientprotection Outputshort-circuitprotection Reverse-batteryprotection TrueZero-SpeedOperation TruePower-OnState Single-chipSensingICforHighReliability O	ALLEGRO Allegro MicroSystems	ALLEGRO

详细参数

型号：
ACE636B
制造商：
ACE
制造商全称：
ACE Technology Co., LTD.
功能描述：
Common Drain Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多ACE636B供应商更新时间2025-7-24 17:54:00

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