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ADG636	文件：147.68 Kbytes Page：12 Pages	1 pC Charge Injection, 100 pA Leakage CMOS 5 V/5 V/3 V Dual SPDT Switch GENERALDESCRIPTION TheADG636isamonolithicdevice,comprisingtwoindependentlyselectableCMOSsinglepole,doublethrow(SPDT) switches.Whenon,eachswitchconductsequallywellinboth directions. TheADG636operatesfromadual±2.7Vto±5.5Vsupply,orfromasinglesupplyof+2.7	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司
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ADG636YRU	文件：147.68 Kbytes Page：12 Pages	1 pC Charge Injection, 100 pA Leakage CMOS 5 V/5 V/3 V Dual SPDT Switch GENERALDESCRIPTION TheADG636isamonolithicdevice,comprisingtwoindependentlyselectableCMOSsinglepole,doublethrow(SPDT) switches.Whenon,eachswitchconductsequallywellinboth directions. TheADG636operatesfromadual±2.7Vto±5.5Vsupply,orfromasinglesupplyof+2.7	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司
ADG636YRU	文件：498.96 Kbytes Page：16 Pages	1 pC Charge Injection, 100 pA Leakage, CMOS, 짹5 V/5 V/3 V Dual SPDT Switch GENERALDESCRIPTION TheADG636isamonolithicdevice,comprisingtwoindependentlyselectableCMOSsinglepole,doublethrow(SPDT) switches.Whenon,eachswitchconductsequallywellinboth directions. TheADG636operatesfromadual±2.7Vto±5.5Vsupply,orfromasinglesupplyof+2.7	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司
ADG636YRU-REEL	文件：498.96 Kbytes Page：16 Pages	1 pC Charge Injection, 100 pA Leakage, CMOS, 짹5 V/5 V/3 V Dual SPDT Switch GENERALDESCRIPTION TheADG636isamonolithicdevice,comprisingtwoindependentlyselectableCMOSsinglepole,doublethrow(SPDT) switches.Whenon,eachswitchconductsequallywellinboth directions. TheADG636operatesfromadual±2.7Vto±5.5Vsupply,orfromasinglesupplyof+2.7	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司
ADG636YRUZ1	文件：498.96 Kbytes Page：16 Pages	1 pC Charge Injection, 100 pA Leakage, CMOS, 짹5 V/5 V/3 V Dual SPDT Switch GENERALDESCRIPTION TheADG636isamonolithicdevice,comprisingtwoindependentlyselectableCMOSsinglepole,doublethrow(SPDT) switches.Whenon,eachswitchconductsequallywellinboth directions. TheADG636operatesfromadual±2.7Vto±5.5Vsupply,orfromasinglesupplyof+2.7	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司
ADG636YRUZ-REEL1	文件：498.96 Kbytes Page：16 Pages	1 pC Charge Injection, 100 pA Leakage, CMOS, 짹5 V/5 V/3 V Dual SPDT Switch GENERALDESCRIPTION TheADG636isamonolithicdevice,comprisingtwoindependentlyselectableCMOSsinglepole,doublethrow(SPDT) switches.Whenon,eachswitchconductsequallywellinboth directions. TheADG636operatesfromadual±2.7Vto±5.5Vsupply,orfromasinglesupplyof+2.7	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司
ADG636YRUZ-REEL71	文件：498.96 Kbytes Page：16 Pages	1 pC Charge Injection, 100 pA Leakage, CMOS, 짹5 V/5 V/3 V Dual SPDT Switch GENERALDESCRIPTION TheADG636isamonolithicdevice,comprisingtwoindependentlyselectableCMOSsinglepole,doublethrow(SPDT) switches.Whenon,eachswitchconductsequallywellinboth directions. TheADG636operatesfromadual±2.7Vto±5.5Vsupply,orfromasinglesupplyof+2.7	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司
ADG636_15	文件：498.96 Kbytes Page：16 Pages	1 pC Charge Injection, 100 pA Leakage	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司
636	文件：154.93 Kbytes Page：4 Pages	CMOS/TTLCLOCKOSCILLATOR	CTSCTS Electronic Components 西迪斯西迪斯公司
636	文件：156.74 Kbytes Page：1 Pages	4-StageRPMActivatedSwitch	MALLORY Mallory Sonalert Products Inc.
636	文件：141.01 Kbytes Page：2 Pages	LowFrequencies	OSCILENT Oscilent Corporation
636	文件：61.27 Kbytes Page：1 Pages	BrightbacklitLCD	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc2未分类制造商
636H	文件：324.88 Kbytes Page：8 Pages	600Hand600NHseries	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc2未分类制造商
ACE636B	文件：505.26 Kbytes Page：5 Pages	CommonDrainDualN-ChannelEnhancementModeFieldEffect	ACE ACE Technology Co., LTD.
AD636	文件：157.72 Kbytes Page：8 Pages	LowLevel,TrueRMS-to-DCConverter GENERALDESCRIPTION TheAD636isalowpowermonolithicICthatperformstruerms-to-dcconversiononlowlevelsignals.Itoffersperformancethatiscomparableorsuperiortothatofhybridandmodularconverterscostingmuchmore.TheAD636isspecifiedforasignalrangeof0mVto200mVrms	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司
AD636J	文件：157.72 Kbytes Page：8 Pages	LowLevel,TrueRMS-to-DCConverter GENERALDESCRIPTION TheAD636isalowpowermonolithicICthatperformstruerms-to-dcconversiononlowlevelsignals.Itoffersperformancethatiscomparableorsuperiortothatofhybridandmodularconverterscostingmuchmore.TheAD636isspecifiedforasignalrangeof0mVto200mVrms	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司
AD636JD	文件：157.72 Kbytes Page：8 Pages	LowLevel,TrueRMS-to-DCConverter GENERALDESCRIPTION TheAD636isalowpowermonolithicICthatperformstruerms-to-dcconversiononlowlevelsignals.Itoffersperformancethatiscomparableorsuperiortothatofhybridandmodularconverterscostingmuchmore.TheAD636isspecifiedforasignalrangeof0mVto200mVrms	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司
AD636JDZ	文件：444.66 Kbytes Page：16 Pages	LowLevel,TrueRMS-to-DCConverter	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司
AD636JH	文件：444.66 Kbytes Page：16 Pages	LowLevel,TrueRMS-to-DCConverter	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司

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详细参数

型号：
ADG636
制造商：
AD
制造商全称：
Analog Devices
功能描述：
1 pC Charge Injection, 100 pA Leakage CMOS 5 V/+5 V/+3 V Dual SPDT Switch

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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