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ACDBUC0230L-HF	文件：473.86 Kbytes Page：4 Pages	Marking：BA；Package：SOD-523F；SMD Schottky Barrier Diode Features -Lowforwardvoltage. -Designedformountingonsmallsurface. -Extremelythinpackage. -Majoritycarrierconduction. -AEC-Q101Qualified&PPAP.	COMCHIPComchip Technology 典琦典琦科技股份有限公司	COMCHIP
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ALN0230	文件：214.78 Kbytes Page：3 Pages	InternallyMatchedLNAModule	ASB Advanced Semiconductor Business Inc.	ASB
AR0230	文件：959.34 Kbytes Page：36 Pages	FullHDDigitalImageSensor	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
AR0230CS	文件：181.11 Kbytes Page：24 Pages	1/2.7?릋nch2.1Mp/FullHDDigitalImageSensor	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
AR0230CS	文件：864.75 Kbytes Page：33 Pages	1/2.7-Inch2.1Mp/FullHDDigitalImageSensor	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
ASB0230	文件：143.43 Kbytes Page：3 Pages	SMDSchottkyBarrierDiode Features IO=200mA VR=30V -Designedformountingonsmallsurface. -Extremelythinpackage. -Lowdrop-downvoltage. -Majoritycarrierconduction -Lead-freedevice MechanicalData -Case:0603(1608)1005(2512)standardpackage,moldedplastic. -Terminals:Goldplated,sold	ANACHIPAnachip Corp 易亨电子易亨电子股份有限公司	ANACHIP
B0230D	文件：1.19922 Mbytes Page：4 Pages	N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半导体有限公司	DOINGTER
CDBER0230L	文件：203.05 Kbytes Page：4 Pages	SMDSchottkyBarrierDiode Io=200mA VR=30Volts Features Lowforwardvoltage. Designedformountingonsmallsurface. Extremelythin/leadlesspackage. Majoritycarrierconduction. Mechanicaldata Case:0503(1308)standardpackage,moldedplastic. Terminals:Goldplated,solderableperMIL-S	COMCHIPComchip Technology 典琦典琦科技股份有限公司	COMCHIP
CDBER0230L-HF	文件：203.23 Kbytes Page：4 Pages	SMDSchottkyBarrierDiode Io=200mA VR=30Volts RoHSDevice HalogenFree Features -Lowforwardvoltage. -Designedformountingonsmallsurface. -Extremelythin/leadlesspackage. -Majoritycarrierconduction. Mechanicaldata -Case:0503/SOD-723Fstandardpackage,moldedplastic. -Terminals:Goldplated	COMCHIPComchip Technology 典琦典琦科技股份有限公司	COMCHIP

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