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AA1L4M	文件：126.91 Kbytes Page：2 Pages	NPN SILICON TRANSISTOR DESCRIPTION The AA1L4M is designed for use in medium speed switching circuit. FEATURE ● Bias resistors built-in type NPN transistor equivalent circuit. 文件：126.91 Kbytes 页数：2 Pages	NEC 瑞萨	NEC
AA1L4M	文件：300 bytes Page：1 Pages	NPN SILICON TRANSISTOR	Renesas 瑞萨	Renesas
AA1L4Z	文件：81.67 Kbytes Page：4 Pages	COMPOUND TRANSISTOR on-chip resistor NPN silicon epitaxial transistor For mid-speed switching FEATURES • On-chip bias resistor (R1 = 47 kΩ) • Complementary transistor with AN1L4Z 文件：81.67 Kbytes 页数：4 Pages	NEC 瑞萨	NEC
AA1L4Z	文件：236.49 Kbytes Page：6 Pages	on-chip resistor NPN silicon epitaxial transistor For mid-speed switching FEATURES • On-chip bias resistor (R1 = 47 kΩ) • Complementary transistor with AN1L4Z 文件：236.49 Kbytes 页数：6 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
AN1L4L	文件：118.42 Kbytes Page：2 Pages	PNP SILICON TRANSISTOR DESCRIPTION The AN1L4L is designed for use in medium speed switching circuit. FEATURE ● Bias resistors built-in type PNP transistor equivalent circuit. 文件：118.42 Kbytes 页数：2 Pages	NEC 瑞萨	NEC

晶体管资料

型号：
AA1L4M
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-N+R
性质：
开关管（S）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
60V
最大电流允许值：
0.1A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
DTC144ES,RN1004,UN4213,2SC3399,
最大耗散功率：
0.25W
放大倍数：
图片代号：
A-20
vtest：
60
htest：
999900
atest：
0.1
wtest：
0.25

详细参数

型号：
AA1L4M
制造商：
Panasonic Industrial Company
功能描述：
TRANSISTOR

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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