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AA1L4M	文件：126.91 Kbytes Page：2 Pages	NPN SILICON TRANSISTOR DESCRIPTION TheAA1L4Misdesignedforuseinmediumspeedswitchingcircuit. FEATURE ●Biasresistorsbuilt-intypeNPNtransistorequivalentcircuit.	NECRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司
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AA1L4Z	文件：81.67 Kbytes Page：4 Pages	COMPOUNDTRANSISTOR on-chipresistorNPNsiliconepitaxialtransistor Formid-speedswitching FEATURES •On-chipbiasresistor (R1=47kΩ) •ComplementarytransistorwithAN1L4Z	NECRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司
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AN1L4L	文件：118.42 Kbytes Page：2 Pages	PNPSILICONTRANSISTOR DESCRIPTION TheAN1L4Lisdesignedforuseinmediumspeedswitchingcircuit. FEATURE ●Biasresistorsbuilt-intypePNPtransistorequivalentcircuit.	NECRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司
AN1L4M	文件：135.82 Kbytes Page：2 Pages	PNPSILICONTRANSISTOR DESCRIPTION TheAN1L4Misdesignedforuseinmediumspeedswitchingcircuit. FEATURE ●Biasresistorsbuilt-intypePNPtransistorequivalentcircuit.	NECRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司
AN1L4Z	文件：81.66 Kbytes Page：4 Pages	COMPOUNDTRANSISTOR on-chipresistorPNPsiliconepitaxialtransistor Formid-speedswitching FEATURES •On-chipbiasresistor (R1=47kΩ) •ComplementarytransistorwithAA1L4Z	NECRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司
AN1L4Z	文件：236.35 Kbytes Page：6 Pages	on-chipresistorPNPsiliconepitaxialtransistorFormid-speedswitching FEATURES •On-chipbiasresistor (R1=47kΩ) •ComplementarytransistorwithAA1L4Z	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司
BA1L4L	文件：128.979 Kbytes Page：2 Pages	NPNSILICONTRANSISTOR DESCRIPTION TheBA1L4Lisdesignedforuseinmediumspeedswitchingcircuit. FEATURE ●Biasresistorsbuilt-intypeNPNtransistorequivalentcircuit.	NECRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司
BA1L4M	文件：129.88 Kbytes Page：2 Pages	NPNSILICONTRANSISTOR DESCRIPTION TheBA1L4Misdesignedforuseinmediumspeedswitchingcircuit. FEATURE ●Biasresistorsbuilt-intypeNPNtransistorequivalentcircuit.	NECRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司
BA1L4Z	文件：97.32 Kbytes Page：4 Pages	on-chipresistorNPNsiliconepitaxialtransistor on-chipresistorNPNsiliconepitaxialtransistor Formid-speedswitching FEATURES •On-chipbiasresistor (R1=47kΩ) •ComplementarytransistorwithBN1L4Z	NECRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司
BA1L4Z	文件：251.23 Kbytes Page：6 Pages	COMPOUNDTRANSISTOR on-chipresistorNPNsiliconepitaxialtransistor Formid-speedswitching FEATURES •On-chipbiasresistor (R1=47kΩ) •ComplementarytransistorwithBN1L4Z	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司
BN1L4L	文件：123.22 Kbytes Page：2 Pages	PNPSILICONTRANSISTOR DESCRIPTION TheBN1L4Lisdesignedforuseinmediumspeedswitchingcircuit. FEATURE ●Biasresistorsbuilt-intypePNPtransistorequivalentcircuit.	NECRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司
BN1L4M	文件：132.52 Kbytes Page：2 Pages	PNPSILICONTRANSISTOR DESCRIPTION TheBN1L4Misdesignedforuseinmediumspeedswitchingcircuit. FEATURE ●Biasresistorsbuilt-intypePNPtransistorequivalentcircuit.	NECRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司
BN1L4Z	文件：85.1 Kbytes Page：4 Pages	COMPOUNDTRANSISTOR on-chipresistorNPNsiliconepitaxialtransistor Formid-speedswitching FEATURES •On-chipbiasresistor (R1=47kΩ) •ComplementarytransistorwithBA1L4Z	NECRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司
BN1L4Z	文件：239.7 Kbytes Page：6 Pages	COMPOUNDTRANSISTOR on-chipresistorNPNsiliconepitaxialtransistor Formid-speedswitching FEATURES •On-chipbiasresistor (R1=47kΩ) •ComplementarytransistorwithBA1L4Z	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司
FA1L4	文件：190.87 Kbytes Page：4 Pages	MEDIUMSPEEDSWITCHINGRESISTORBUILT-INTYPENPNTRANSISTORMINIMOLD FEATURES •ResistorsBuilt-inTYPE •ComplementarytoFN1L4M	NECRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司
FA1L4	文件：160.4 Kbytes Page：4 Pages	MEDIUMSPEEDSWITCHINGRESISTORBUILT-INTYPENPNTRANSISTORMINIMOLD FEATURES •ResistorsBuilt-inTYPE •ComplementarytoFN1L4L	NECRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司
FA1L4	文件：164.54 Kbytes Page：4 Pages	MEDIUMSPEEDSWITCHINGRESISTORBUILT-INTYPENPNTRANSISTORMINIMOLD FEATURES •ResistorsBuilt-inTYPE •ComplementarytoFN1L4Z	NECRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司
FA1L4L	文件：160.4 Kbytes Page：4 Pages	MEDIUMSPEEDSWITCHINGRESISTORBUILT-INTYPENPNTRANSISTORMINIMOLD FEATURES •ResistorsBuilt-inTYPE •ComplementarytoFN1L4L	NECRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司

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晶体管资料

型号：
AA1L4M
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-N+R
性质：
开关管（S）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
60V
最大电流允许值：
0.1A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
DTC144ES,RN1004,UN4213,2SC3399,
最大耗散功率：
0.25W
放大倍数：
图片代号：
A-20
vtest：
60
htest：
999900
atest：
.1
wtest：
.25

详细参数

型号：
AA1L4M
制造商：
Panasonic Industrial Company
功能描述：
TRANSISTOR

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多AA1L4M供应商更新时间2024-4-27 10:30:00

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