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FA1L4	文件：160.4 Kbytes Page：4 Pages	MEDIUM SPEED SWITCHING RESISTOR BUILT-IN TYPE NPN TRANSISTOR MINI MOLD FEATURES •ResistorsBuilt-inTYPE •ComplementarytoFN1L4L	NECRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司
FA1L4	文件：164.54 Kbytes Page：4 Pages	MEDIUM SPEED SWITCHING RESISTOR BUILT-IN TYPE NPN TRANSISTOR MINI MOLD FEATURES •ResistorsBuilt-inTYPE •ComplementarytoFN1L4Z	NECRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司
FA1L4	文件：190.87 Kbytes Page：4 Pages	MEDIUM SPEED SWITCHING RESISTOR BUILT-IN TYPE NPN TRANSISTOR MINI MOLD FEATURES •ResistorsBuilt-inTYPE •ComplementarytoFN1L4M	NECRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司
FA1L4L	文件：160.4 Kbytes Page：4 Pages	MEDIUM SPEED SWITCHING RESISTOR BUILT-IN TYPE NPN TRANSISTOR MINI MOLD FEATURES •ResistorsBuilt-inTYPE •ComplementarytoFN1L4L	NECRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司
FA1L4M	文件：190.87 Kbytes Page：4 Pages	MEDIUM SPEED SWITCHING RESISTOR BUILT-IN TYPE NPN TRANSISTOR MINI MOLD FEATURES •ResistorsBuilt-inTYPE •ComplementarytoFN1L4M	NECRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司
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FA1L4L	文件：289.73 Kbytes Page：6 Pages	SILICON TRANSISTOR	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司
FA1L4M	文件：314.52 Kbytes Page：6 Pages	SILICON TRANSISTOR	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司
FA1L4Z	文件：293.61 Kbytes Page：6 Pages	SILICON TRANSISTOR	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司
AA1L4L	文件：123.53 Kbytes Page：2 Pages	NPNSILICONTRANSISTOR DESCRIPTION TheAA1L4Lisdesignedforuseinmediumspeedswitchingcircuit. FEATURE ●Biasresistorsbuilt-intypeNPNtransistorequivalentcircuit.	NECRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司
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AA1L4Z	文件：81.67 Kbytes Page：4 Pages	COMPOUNDTRANSISTOR on-chipresistorNPNsiliconepitaxialtransistor Formid-speedswitching FEATURES •On-chipbiasresistor (R1=47kΩ) •ComplementarytransistorwithAN1L4Z	NECRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司
AA1L4Z	文件：236.49 Kbytes Page：6 Pages	on-chipresistorNPNsiliconepitaxialtransistorFormid-speedswitching FEATURES •On-chipbiasresistor (R1=47kΩ) •ComplementarytransistorwithAN1L4Z	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司
AN1L4L	文件：118.42 Kbytes Page：2 Pages	PNPSILICONTRANSISTOR DESCRIPTION TheAN1L4Lisdesignedforuseinmediumspeedswitchingcircuit. FEATURE ●Biasresistorsbuilt-intypePNPtransistorequivalentcircuit.	NECRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司
AN1L4M	文件：135.82 Kbytes Page：2 Pages	PNPSILICONTRANSISTOR DESCRIPTION TheAN1L4Misdesignedforuseinmediumspeedswitchingcircuit. FEATURE ●Biasresistorsbuilt-intypePNPtransistorequivalentcircuit.	NECRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司
AN1L4Z	文件：236.35 Kbytes Page：6 Pages	on-chipresistorPNPsiliconepitaxialtransistorFormid-speedswitching FEATURES •On-chipbiasresistor (R1=47kΩ) •ComplementarytransistorwithAA1L4Z	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司
AN1L4Z	文件：81.66 Kbytes Page：4 Pages	COMPOUNDTRANSISTOR on-chipresistorPNPsiliconepitaxialtransistor Formid-speedswitching FEATURES •On-chipbiasresistor (R1=47kΩ) •ComplementarytransistorwithAA1L4Z	NECRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司
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BA1L4Z	文件：97.32 Kbytes Page：4 Pages	on-chipresistorNPNsiliconepitaxialtransistor on-chipresistorNPNsiliconepitaxialtransistor Formid-speedswitching FEATURES •On-chipbiasresistor (R1=47kΩ) •ComplementarytransistorwithBN1L4Z	NECRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司

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晶体管资料

型号：
FA1L4L
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-N+R
性质：
中速（MS）_开关管（SW）
封装形式：
贴片封装
极限工作电压：
60V
最大电流允许值：
0.1A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
DTC144WK,RN1409,UN221E,2SC3397,
最大耗散功率：
0.2W
放大倍数：
图片代号：
H-15
vtest：
60
htest：
999900
atest：
.1
wtest：
.2

详细参数

型号：
FA1L4
制造商：
NEC
制造商全称：
NEC
功能描述：
MEDIUM SPEED SWITCHING RESISTOR BUILT-IN TYPE NPN TRANSISTOR MINI MOLD

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市莱克讯科技有限公司	FA1L4M-T1B	NEC	2017+	SOT-23	52145	深圳香港代理原装现货库存(美国-日本-台湾)可开正规增	询价
深圳市特顺芯科技有限公司	FA1L4L	NEC	2008++	SOT-23	70500	新进库存/原装	询价
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更多FA1L4供应商更新时间2024-4-26 9:52:00

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