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CGA-6618	文件：323.83 Kbytes Page：5 Pages	DUALCATVBROADBANDHIGHLINEARITYGAASHBTAMPLIFIER ProductDescription StanfordMicrodevice’sCGA-6618isahighperformanceGaAsHBTMMICAmplifier.DesignedwiththeInGaPprocesstechnologyforexcellentreliability.ADarlingtonconfigurationisutilizedforbroadbandperformance.Theheterojunctionincreasesbreakdownvoltageandminimizesl	STANFORD Stanford Microdevices	STANFORD
CGA-6618Z	文件：427.06 Kbytes Page：10 Pages	DUALCATV1MHzto1000MHzHIGHLINEARITYGaAsHBTAMPLIFIER ProductDescription RFMD’sCGA-6681(Z)isahighperformanceGaAsHBTMMICAmplifier.DesignedwiththeInGaPprocesstechnologyforexcellentreliability.ADarlingtonconfigurationisutilizedforbroadbandperformance.Theheterojunctionincreasesbreakdownvoltageandminimizesleakagecurren	RFMDRF Micro Devices 威讯联合威讯联合半导体(德州)有限公司	RFMD
CGA-6618Z	文件：297.61 Kbytes Page：8 Pages	DualCATV1MHzto1000MHzHighLinearityGaAsHBTAmplifier ProductDescription SirenzaMicrodevice’sCGA-6618isahighperformanceGaAsHBTMMICAmplifier.DesignedwiththeInGaPprocesstechnologyforexcellentreliability.ADarlingtonconfigurationisutilizedforbroadbandperformance.Theheterojunctionincreasesbreakdownvoltageandminimizesle	SIRENZA SIRENZA MICRODEVICES	SIRENZA
GSC6618	文件：275.19 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET	GTMGTM CORPORATION 勤益投资控股勤益投资控股股份有限公司	GTM
HM6618A	文件：2.14584 Mbytes Page：7 Pages	integratedUSBType-C	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 华之美半导体深圳市华之美半导体有限公司	HMSEMI
HM6618B	文件：2.14584 Mbytes Page：7 Pages	integratedUSBType-C	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 华之美半导体深圳市华之美半导体有限公司	HMSEMI
IRF6618	文件：230.62 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET Description TheIRF6609combinesthelatestHEXFET®PowerMOSFETSilicontechnologywiththeadvancedDirectFETTMpackagingtoachievetheloweston-stateresistanceinapackagethathasthefootprintofanSO-8andonly0.7mmprofile.TheDirectFETpackageiscompatiblewithexistinglayoutge	IRF International Rectifier	IRF
IRF6618	文件：234.56 Kbytes Page：9 Pages	HEXFETPowerMOSFET Description TheIRF6618combinesthelatestHEXFET®PowerMOSFETSilicontechnologywiththeadvancedDirectFETTMpackagingtoachievetheloweston-stateresistanceinapackagethathasthefootprintofanSO-8andonly0.7mmprofile.TheDirectFETpackageiscompatiblewithexistinglayoutge	IRF International Rectifier	IRF
IRF6618PBF	文件：240.91 Kbytes Page：8 Pages	DirectFET짰PowerMOSFET짰 Description TheIRF6618PbFcombinesthelatestHEXFET®PowerMOSFETSilicontechnologywiththeadvancedDirectFETTMpackagingtoachievetheloweston-stateresistanceinapackagethathasthefootprintofaSO-8andonly0.7mmprofile.TheDirectFETpackageiscompatiblewithexistinglayout	IRF International Rectifier	IRF
IRF6618PBF	文件：250.25 Kbytes Page：9 Pages	IdealforCPUCoreDC-DCConverters	IRF International Rectifier	IRF

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详细参数

型号：
A6618
制造商：
Pentair Technical Products/Hoffman
功能描述：
6x6x18 3R Wire Trough

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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