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LM4985	文件：1.09486 Mbytes Page：33 Pages	LAudioPowerAmplifierSeriesStereo135mWLowNoiseHeadphoneAmplifierwithSelectableCapacitivelyCoupled	TI1Texas Instruments 德州仪器	TI1
LM4985	文件：1.48547 Mbytes Page：29 Pages	Stereo135mWLowNoiseHeadphoneAmplifierwithSelectableCapacitivelyCoupledorOutputCapacitor-less(OCL)OutputandDigitallyControlled(I2C)V	NSCNational Semiconductor (TI) 美国国家半导体美国国家半导体公司	NSC
LM4985TM	文件：1.48547 Mbytes Page：29 Pages	Stereo135mWLowNoiseHeadphoneAmplifierwithSelectableCapacitivelyCoupledorOutputCapacitor-less(OCL)OutputandDigitallyControlled(I2C)V	NSCNational Semiconductor (TI) 美国国家半导体美国国家半导体公司	NSC
LM4985TMEVAL	文件：1.09486 Mbytes Page：33 Pages	LAudioPowerAmplifierSeriesStereo135mWLowNoiseHeadphoneAmplifierwithSelectableCapacitivelyCoupled	TI1Texas Instruments 德州仪器	TI1
LV4985VH	文件：408.59 Kbytes Page：15 Pages	Bi-CMOSICForPortableElectronicDeviceUse1.2W횞2chBTLPowerAmplifier Overview TheLV4985VHhasa2-channelpowercircuitamplifierincludinganelectronicvolumecontrolbuiltin.Ithasafunctionforswitchingtheheadphonedriverandalsohasastandbyfunctiontoreducethecurrentdrain.ItisapoweramplifierICoptimalfordrivingthespeakersusedinport	SANYOSanyo Semicon Device 三洋三洋电机株式会社	SANYO
LV4985VH	文件：440.62 Kbytes Page：15 Pages	ForPortableElectronicDeviceUse1.2Wx2chBTLPowerAmplifier	SANYOSanyo Semicon Device 三洋三洋电机株式会社	SANYO
NTE4985	文件：26.12 Kbytes Page：2 Pages	SurgeClamping,TransientOvervoltageSuppressorBidirectional Description: TheNTE4900seriesofsiliconTransientSuppressorsdesignedtoprotectvoltagesensitivecomponentsfromhighenergyvoltagetransients.Transientovervoltagesuppressordeviceshavebecomeveryimportantasaconsequenceoftheirhighsurgecapability,extremelyfastresponsetime	NTE NTE Electronics	NTE
NTMFS4985NF	文件：120.84 Kbytes Page：7 Pages	PowerMOSFET30V,65A,SingleN?묬hannel,SO??FL MOSFET–Power,Single,N-Channel,SO-8FL30V,65A Features •IntegratedSchottkyDiode •LowRDS(on)toMinimizeConductionLosses •LowCapacitancetoMinimizeDriverLosses •OptimizedGateChargetoMinimizeSwitchingLosses •TheseDevicesarePb−FreeandareRoHSCompliant Applicat	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTTFS4985NF	文件：89.99 Kbytes Page：7 Pages	PowerMOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTTFS4985NF	文件：126.29 Kbytes Page：7 Pages	PowerMOSFET30V,64A,SingleN?묬hannel,WDFN8 PowerMOSFET 30V,64A,SingleN−Channel,WDFN8 Features •IntegratedSchottkyDiode •LowRDS(on)toMinimizeConductionLosses •LowCapacitancetoMinimizeDriverLosses •OptimizedGateChargetoMinimizeSwitchingLosses •TheseDevicesarePb−FreeandareRoHSCompliant Applications	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

产品属性

产品编号：
A4985SLPTR-T
制造商：
Allegro MicroSystems
类别：
集成电路（IC） > 电机驱动器，控制器
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
电机类型 - 步进：
双极性
功能：
驱动器 - 全集成，控制和功率级
输出配置：
半桥（4）
接口：
逻辑
技术：
DMOS
步进分辨率：
1，1/2，1/4，1/8
应用：
通用
电流 - 输出：
1A
电压 - 供电：
3V ~ 5.5V
电压 - 负载：
8V ~ 35V
工作温度：
-20°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
24-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽）裸露焊盘
供应商器件封装：
24-TSSOP-EP
描述：
IC MTR DRV BIPOLR 3-5.5V 24TSSOP

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多A4985SLPTR-T供应商更新时间2025-4-30 14:32:00

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