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AD8546ARMZ	文件：709.49 Kbytes Page：24 Pages	丝印：A2V；Package：MSOP；22 μA, RRIO, CMOS, 18 V Operational Amplifier FEATURES Micropower at high voltage (18 V): 22 μA maximum Low input bias current: 20 pA maximum Gain bandwidth product: 240 kHz at AV =100 typical Unity-gain crossover: 240 kHz −3 dB closed-loop bandwidth: 310 kHz Slew rate: 80 V/ms Large signal voltage gain: 110 dB minimum Single-supply operat 文件：709.49 Kbytes 页数：24 Pages	AD 亚德诺	AD
AD8546ARMZ-R7	文件：709.49 Kbytes Page：24 Pages	丝印：A2V；Package：MSOP；22 μA, RRIO, CMOS, 18 V Operational Amplifier FEATURES Micropower at high voltage (18 V): 22 μA maximum Low input bias current: 20 pA maximum Gain bandwidth product: 240 kHz at AV =100 typical Unity-gain crossover: 240 kHz −3 dB closed-loop bandwidth: 310 kHz Slew rate: 80 V/ms Large signal voltage gain: 110 dB minimum Single-supply operat 文件：709.49 Kbytes 页数：24 Pages	AD 亚德诺	AD
AD8546ARMZ-RL	文件：709.49 Kbytes Page：24 Pages	丝印：A2V；Package：MSOP；22 μA, RRIO, CMOS, 18 V Operational Amplifier FEATURES Micropower at high voltage (18 V): 22 μA maximum Low input bias current: 20 pA maximum Gain bandwidth product: 240 kHz at AV =100 typical Unity-gain crossover: 240 kHz −3 dB closed-loop bandwidth: 310 kHz Slew rate: 80 V/ms Large signal voltage gain: 110 dB minimum Single-supply operat 文件：709.49 Kbytes 页数：24 Pages	AD 亚德诺	AD
A2V07H400-04N	文件：805.06 Kbytes Page：23 Pages	N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFET Features  Advanced high performance in--package Doherty  Greater negative gate--source voltage range for improved Class C operation  Designed for digital predistortion error correction systems 文件：805.06 Kbytes 页数：23 Pages	恩XP	恩XP
A2V07H400-04NR3	文件：805.06 Kbytes Page：23 Pages	N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFET Features  Advanced high performance in--package Doherty  Greater negative gate--source voltage range for improved Class C operation  Designed for digital predistortion error correction systems 文件：805.06 Kbytes 页数：23 Pages	恩XP	恩XP
A2V07H400-04NR3_V01	文件：805.06 Kbytes Page：23 Pages	N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFET Features  Advanced high performance in--package Doherty  Greater negative gate--source voltage range for improved Class C operation  Designed for digital predistortion error correction systems 文件：805.06 Kbytes 页数：23 Pages	恩XP	恩XP
A2V07H400-04N	文件：803.9 Kbytes Page：23 Pages	N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFET 文件：803.9 Kbytes 页数：23 Pages	恩XP	恩XP
A2V07H400-04NR3	文件：803.9 Kbytes Page：23 Pages	N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFET 文件：803.9 Kbytes 页数：23 Pages	恩XP	恩XP
A2V07H525-04N	文件：1.05655 Mbytes Page：25 Pages	N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFET 文件：1.05655 Mbytes 页数：25 Pages	恩XP	恩XP
A2V07H525-04NR6	文件：1.05655 Mbytes Page：25 Pages	N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFET 文件：1.05655 Mbytes 页数：25 Pages	恩XP	恩XP

详细参数

型号：
A2V
功能描述：
IC OP AMP RR DUAL 8MSOP
RoHS：
是
类别：
集成电路(IC) >> Linear - Amplifiers - Instrumentation
系列：
-
标准包装：
160
放大器类型：
通用
电路数：
4
输出类型：
满摆幅
转换速率：
10 V/µs
增益带宽积：
9MHz
-3db带宽：
- 电流 -
输入偏压：
1pA 电压 -
输入偏移：
250µV 电流 -
电源：
730µA 电流 -
输出/通道：
28mA 电压 -
电源，单路/双路(±)：
2.7 V ~ 5.5 V，±1.35 V ~ 2.75 V
工作温度：
-40°C ~ 125°C
安装类型：
表面贴装
封装/外壳：
16-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
供应商设备封装：
16-SOIC N
包装：
管件

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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