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A2V07H525-04NR6分立半导体产品晶体管-FETMOSFET-射频规格书PDF中文资料
厂商型号 |
A2V07H525-04NR6 |
参数属性 | A2V07H525-04NR6 封装/外壳为OM-1230-4L;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 射频;产品描述:AIRFAST RF LDMOS WIDEBAND INTEGR |
功能描述 | N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFET |
文件大小 |
1.05655 Mbytes |
页面数量 |
25 页 |
生产厂商 | NXP Semiconductors |
企业简称 |
nxp【恩智浦】 |
中文名称 | 恩智浦半导体公司官网 |
原厂标识 | |
数据手册 | |
更新时间 | 2024-5-31 23:00:00 |
A2V07H525-04NR6规格书详情
A2V07H525-04NR6属于分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 射频。恩智浦半导体公司制造生产的A2V07H525-04NR6晶体管 - FET,MOSFET - 射频射频晶体管、FET 和 MOSFET 是具有三个端子的半导体器件,器件中电流受电场控制。该系列器件用于涉及射频的设备。用于放大或切换信号或功率的晶体管类型包括:E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 沟道、P 沟道、pHEMT、碳化硅、2 N 沟道和 4 N 沟道。
产品属性
- 产品编号:
A2V07H525-04NR6
- 制造商:
NXP USA Inc.
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 射频
- 包装:
卷带(TR)
- 晶体管类型:
LDMOS
- 频率:
595MHz ~ 851MHz
- 增益:
17.5dB
- 额定电流(安培):
10µA
- 功率 - 输出:
120W
- 封装/外壳:
OM-1230-4L
- 供应商器件封装:
OM-1230-4L
- 描述:
AIRFAST RF LDMOS WIDEBAND INTEGR
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
NXP(恩智浦) |
23+ |
NA/ |
7350 |
现货供应,当天可交货!免费送样,原厂技术支持!!! |
询价 | ||
NXP/恩智浦 |
2023+ |
NA |
5950 |
询价 | |||
NXP USA Inc. |
24+ |
OM-1230-4L |
30000 |
晶体管-分立半导体产品-原装正品 |
询价 | ||
NXP/恩智浦 |
22+ |
NA |
10000 |
绝对原装现货热卖 |
询价 | ||
NXP US |
21+ |
25000 |
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询价 | |||
NXP-恩智浦 |
24+25+/26+27+ |
TO-59.高频管 |
18800 |
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询价 | ||
NXP(恩智浦) |
2335 |
OM-780-4L |
50000 |
只做原装优势现货库存,渠道可追溯 |
询价 | ||
NXP/恩智浦 |
23+ |
TO-59 |
8510 |
原装正品代理渠道价格优势 |
询价 | ||
NXP恩智浦 |
20+ |
OM-780-4 |
18500 |
只做全新原装,优势渠道 |
询价 | ||
NXP/恩智浦 |
22+ |
OM-780-4 |
18000 |
原装正品 |
询价 |