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A2V07H525-04NR6分立半导体产品晶体管-FETMOSFET-射频规格书PDF中文资料

A2V07H525-04NR6
厂商型号

A2V07H525-04NR6

参数属性

A2V07H525-04NR6 封装/外壳为OM-1230-4L;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 射频;产品描述:AIRFAST RF LDMOS WIDEBAND INTEGR

功能描述

N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFET
AIRFAST RF LDMOS WIDEBAND INTEGR

文件大小

1.05655 Mbytes

页面数量

25

生产厂商 NXP Semiconductors
企业简称

nxp恩智浦

中文名称

恩智浦半导体公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-5-31 23:00:00

A2V07H525-04NR6规格书详情

A2V07H525-04NR6属于分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 射频。恩智浦半导体公司制造生产的A2V07H525-04NR6晶体管 - FET,MOSFET - 射频射频晶体管、FET 和 MOSFET 是具有三个端子的半导体器件,器件中电流受电场控制。该系列器件用于涉及射频的设备。用于放大或切换信号或功率的晶体管类型包括:E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 沟道、P 沟道、pHEMT、碳化硅、2 N 沟道和 4 N 沟道。

产品属性

  • 产品编号:

    A2V07H525-04NR6

  • 制造商:

    NXP USA Inc.

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 射频

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 晶体管类型:

    LDMOS

  • 频率:

    595MHz ~ 851MHz

  • 增益:

    17.5dB

  • 额定电流(安培):

    10µA

  • 功率 - 输出:

    120W

  • 封装/外壳:

    OM-1230-4L

  • 供应商器件封装:

    OM-1230-4L

  • 描述:

    AIRFAST RF LDMOS WIDEBAND INTEGR

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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