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A2V07H400-04NR3分立半导体产品晶体管-FETMOSFET-射频规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
A2V07H400-04NR3 |
| 参数属性 | A2V07H400-04NR3 封装/外壳为OM-780G-4L；包装为带；类别为分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 射频；产品描述：AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO |
| 功能描述 | N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFET |
| 文件大小 |
803.9 Kbytes |
| 页面数量 |
23 页 |
| 生产厂商 | NXP Semiconductors |
| 企业简称 |
nxp【恩智浦】 |
| 中文名称 | 恩智浦半导体公司官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2024-6-3 16:16:00 |
A2V07H400-04NR3规格书详情
A2V07H400-04NR3属于分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 射频。恩智浦半导体公司制造生产的A2V07H400-04NR3晶体管 - FET，MOSFET - 射频射频晶体管、FET 和 MOSFET 是具有三个端子的半导体器件，器件中电流受电场控制。该系列器件用于涉及射频的设备。用于放大或切换信号或功率的晶体管类型包括：E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 沟道、P 沟道、pHEMT、碳化硅、2 N 沟道和 4 N 沟道。
产品属性
- 产品编号：
A2V07H400-04NR3
- 制造商：
NXP USA Inc.
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 射频
- 包装：
带
- 晶体管类型：
LDMOS（双）
- 频率：
595MHz ~ 851MHz
- 增益：
19.9dB
- 额定电流（安培）：
10µA
- 功率 - 输出：
267W
- 封装/外壳：
OM-780G-4L
- 供应商器件封装：
OM-780G-4L
- 描述：
AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
NXP-恩智浦 |
24+25+/26+27+ |
TO-59.高频管 |
18800 |
一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
询价 | ||
NXP USA Inc. |
24+ |
OM-780G-4L |
30000 |
晶体管-分立半导体产品-原装正品 |
询价 | ||
NXP(恩智浦) |
23+ |
NA/ |
8735 |
原厂直销,现货供应,账期支持! |
询价 | ||
NXP(恩智浦) |
23+ |
NA/ |
7350 |
现货供应,当天可交货!免费送样,原厂技术支持!!! |
询价 | ||
NXP/恩智浦 |
2021+ |
NA |
5000 |
原厂授权代理,海外优势订货渠道。可提供大量库存,详 |
询价 | ||
NXP/恩智浦 |
23+ |
TO-59 |
8510 |
原装正品代理渠道价格优势 |
询价 | ||
NXP/恩智浦 |
23+ |
NA |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 | ||
NXP Semiconductors |
22+ |
Dual N-Channel |
2864 |
航宇科工半导体-中国航天科工集团战略合作伙伴! |
询价 | ||
ADI |
23+ |
NA |
8000 |
只做原装现货 |
询价 | ||
FREESCALE |
17+ |
32 |
全新进口原装 |
询价 |
