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A2I25H060GNR1分立半导体产品晶体管-FETMOSFET-射频规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
A2I25H060GNR1 |
| 参数属性 | A2I25H060GNR1 封装/外壳为TO-270-17 变型，鸥翼；包装为卷带（TR）；类别为分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 射频；产品描述：IC TRANS RF LDMOS |
| 功能描述 | RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifiers |
| 文件大小 |
1.05833 Mbytes |
| 页面数量 |
31 页 |
| 生产厂商 | NXP Semiconductors |
| 企业简称 |
nxp【恩智浦】 |
| 中文名称 | 恩智浦半导体公司官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2024-9-23 20:00:00 |
A2I25H060GNR1规格书详情
A2I25H060GNR1属于分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 射频。恩智浦半导体公司制造生产的A2I25H060GNR1晶体管 - FET，MOSFET - 射频射频晶体管、FET 和 MOSFET 是具有三个端子的半导体器件，器件中电流受电场控制。该系列器件用于涉及射频的设备。用于放大或切换信号或功率的晶体管类型包括：E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 沟道、P 沟道、pHEMT、碳化硅、2 N 沟道和 4 N 沟道。
产品属性
更多- 产品编号：
A2I25H060GNR1
- 制造商：
NXP USA Inc.
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 射频
- 包装：
卷带（TR）
- 晶体管类型：
LDMOS（双）
- 频率：
2.59GHz
- 增益：
26.1dB
- 功率 - 输出：
10.5W
- 封装/外壳：
TO-270-17 变型，鸥翼
- 供应商器件封装：
TO-270WBG-17
- 描述：
IC TRANS RF LDMOS
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
FREESCALE |
23+ |
NA/ |
3354 |
原装现货,当天可交货,原型号开票 |
询价 | ||
FREESCALE |
22+ |
TO270WB17 |
9852 |
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询价 | ||
NXP(恩智浦) |
23+ |
TO270WBG17 |
6000 |
诚信服务，绝对原装原盘 |
询价 | ||
NXP(恩智浦) |
2021+ |
TO-270WB-17 |
499 |
询价 | |||
NXP |
23+ |
TO270WBG17 |
9000 |
原装正品，支持实单 |
询价 | ||
NXP(恩智浦) |
23+ |
9865 |
原装正品,假一赔十 |
询价 | |||
FREESCALE |
23+ |
NA |
5000 |
原厂授权代理,海外优势订货渠道。可提供大量库存,详 |
询价 | ||
NXP SEMICONDUCTORS |
22+ |
SMD |
518000 |
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询价 | ||
NXP |
23+ |
RF射频 |
1803 |
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NXP(恩智浦) |
23+ |
TO270WBG17 |
7350 |
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询价 |
