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A2I25D025GNR1分立半导体产品晶体管-FETMOSFET-射频规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
A2I25D025GNR1 |
| 参数属性 | A2I25D025GNR1 封装/外壳为TO-270-17 变型，鸥翼；包装为卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带；类别为分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 射频；产品描述：IC TRANS RF LDMOS |
| 功能描述 | RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifiers |
| 文件大小 |
733.65 Kbytes |
| 页面数量 |
19 页 |
| 生产厂商 | NXP Semiconductors |
| 企业简称 |
nxp【恩智浦】 |
| 中文名称 | 恩智浦半导体公司官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2024-5-24 18:26:00 |
A2I25D025GNR1规格书详情
A2I25D025GNR1属于分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 射频。恩智浦半导体公司制造生产的A2I25D025GNR1晶体管 - FET，MOSFET - 射频射频晶体管、FET 和 MOSFET 是具有三个端子的半导体器件，器件中电流受电场控制。该系列器件用于涉及射频的设备。用于放大或切换信号或功率的晶体管类型包括：E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 沟道、P 沟道、pHEMT、碳化硅、2 N 沟道和 4 N 沟道。
产品属性
- 产品编号：
A2I25D025GNR1
- 制造商：
NXP USA Inc.
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 射频
- 包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 晶体管类型：
LDMOS（双）
- 频率：
2.69GHz
- 增益：
31.9dB
- 功率 - 输出：
3.2W
- 封装/外壳：
TO-270-17 变型，鸥翼
- 供应商器件封装：
TO-270WBG-17
- 描述：
IC TRANS RF LDMOS
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
NXP(恩智浦) |
23+ |
TO270WBG17 |
6000 |
询价 | |||
NXP(恩智浦) |
23+ |
TO-270WBG-17 |
8145 |
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询价 | ||
NXP(恩智浦) |
23+ |
NA/ |
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询价 | ||
NXP(恩智浦) |
23+ |
NA |
6000 |
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询价 | ||
NXP |
21+ |
TO270WBG17 |
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询价 | ||
NXP(恩智浦) |
23+ |
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NXP |
22+ |
TO270WBG17 |
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NXP-恩智浦 |
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NXP |
23+ |
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