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A2I20H060NR1分立半导体产品晶体管-FETMOSFET-射频规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
A2I20H060NR1 |
| 参数属性 | A2I20H060NR1 封装/外壳为TO-270-15 变式，扁平引线；包装为散装；类别为分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 射频；产品描述：IC TRANS RF LDMOS |
| 功能描述 | RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifiers |
| 文件大小 |
967.36 Kbytes |
| 页面数量 |
31 页 |
| 生产厂商 | NXP Semiconductors |
| 企业简称 |
nxp【恩智浦】 |
| 中文名称 | 恩智浦半导体公司官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2024-6-17 8:03:00 |
A2I20H060NR1规格书详情
A2I20H060NR1属于分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 射频。恩智浦半导体公司制造生产的A2I20H060NR1晶体管 - FET，MOSFET - 射频射频晶体管、FET 和 MOSFET 是具有三个端子的半导体器件，器件中电流受电场控制。该系列器件用于涉及射频的设备。用于放大或切换信号或功率的晶体管类型包括：E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 沟道、P 沟道、pHEMT、碳化硅、2 N 沟道和 4 N 沟道。
产品属性
- 产品编号：
A2I20H060NR1
- 制造商：
NXP USA Inc.
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 射频
- 包装：
散装
- 晶体管类型：
LDMOS（双）
- 频率：
1.84GHz
- 增益：
28.9dB
- 功率 - 输出：
12W
- 封装/外壳：
TO-270-15 变式，扁平引线
- 供应商器件封装：
TO-270WB-15
- 描述：
IC TRANS RF LDMOS
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
NXP恩智浦 |
18+ |
TO-270WB-15 |
10500 |
原装产品,信誉保证,长期供货 |
询价 | ||
NXP(恩智浦) |
23+ |
NA/ |
7350 |
现货供应,当天可交货!免费送样,原厂技术支持!!! |
询价 | ||
NXP(恩智浦) |
23+ |
TO270WBG15 |
1828 |
原装现货,免费供样,技术支持,原厂对接 |
询价 | ||
NXP SEMICONDUCTORS |
22+ |
SMD |
518000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
询价 | ||
NXP(恩智浦) |
TO-270WB-15 |
23000 |
16余年资质 绝对原盒原盘 更多数量 |
询价 | |||
NXP-恩智浦 |
24+25+/26+27+ |
TO-270 |
2368 |
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询价 | ||
NXP(恩智浦) |
2117+ |
TO-270WBG-15 |
315000 |
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询价 | ||
NXP USA Inc. |
2022+ |
TO-270WB-15 |
38550 |
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NXP USA Inc. |
24+ |
TO-270-15 变型,鸥翼 |
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询价 | ||
NXP SEMICONDUCTORS |
22+ |
N/A |
1001 |
原装原装原装 |
询价 |
