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IS25LQ080B-JNLE

3VQUADSERIALFLASHMEMORYWITHMULTI-I/OSPI

ISSIIntegrated Silicon Solution Inc

北京矽成北京矽成半导体有限公司

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技术参数

  • 结构:

    8M

  • 电压:

    3V

  • 速度:

    104Mhz

  • 温度:

    -40℃ ~85℃

  • 包装样式:

    8 PINS DIP/SOP/USON/WSON

  • 附注:

    Uniform sector 4KB

  • 相符:

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更多A25LQ080供应商 更新时间2025-7-27 11:10:00