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A1015	文件：174.98 Kbytes Page：5 Pages	PNP Epitaxial Silicon Transistor KSA1015 Features • Low−Frequency Amplifier • Collector−Base Voltage: VCBO = −50 V • Complement to KSC1815 • These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant 文件：174.98 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
A1015	文件：48.52 Kbytes Page：2 Pages	Photo Interrupters Photo Interrupters Overview CNA1015 series is a transmissive photosensor series in which a high efficiency GaAs infrared light emitting diode is used as the light emitting element, and a high sensitivity phototransistor is used as the light detecting element. The two elements are arranged 文件：48.52 Kbytes 页数：2 Pages	PANASONIC 松下	PANASONIC
A1015	文件：156 Kbytes Page：2 Pages	PNP EPITAXIAL TYPE(AUDIO FREQUENCY GENERAL PURPOSE AMPLIFIER, DRIVER STAGE AMPLIFIER) Audio Frequency General Purpose Amplifier Applications Driver Stage Amplifier Applications • High voltage and high current: VCEO = −50 V (min), IC = −150 mA (max) • Excellent hFE linearity: hFE (2) = 80 (typ.) at VCE = −6 V, IC = −150 mA 文件：156 Kbytes 页数：2 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
A1015	文件：62.09 Kbytes Page：2 Pages	PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR FEATURES * Collector-Emitter Voltage: BVCEO=-50V * Collector current up to 150mA * High hFE linearity * Complement to 2SC1815 文件：62.09 Kbytes 页数：2 Pages	UTC 友顺	UTC
A1015	文件：35.75 Kbytes Page：3 Pages	PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR The HSA1015 is designed for use in driver stage of AF amplifier and general purpose amplification. 文件：35.75 Kbytes 页数：3 Pages	HSMC 华昕	HSMC
A1015	文件：1.51724 Mbytes Page：4 Pages	丝印：BA；Package：SOT-23；SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors FEATURES High voltage and high current Excellent hFE Linearity Complementary to C1815 文件：1.51724 Mbytes 页数：4 Pages	DGNJDZ 南晶电子	DGNJDZ
A1015	文件：547.62 Kbytes Page：2 Pages	丝印：BA；Package：SOT-23；TRANSISTOR TRANSISTOR (PNP) FEATURES ● Power dissipation 文件：547.62 Kbytes 页数：2 Pages	KOOCHIN 灏展电子	KOOCHIN
A1015	文件：123.73 Kbytes Page：2 Pages	High voltage and high current FEATURES High voltage and high current Excellent hFE Linearity Low niose ,Complementary to C1815 文件：123.73 Kbytes 页数：2 Pages	MAKOSEMI 美科半导体	MAKOSEMI
A1015	文件：876.73 Kbytes Page：4 Pages	TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors TRANSISTOR (PNP) FEATURES ● Power dissipation 文件：876.73 Kbytes 页数：4 Pages	JIANGSU 长电科技	JIANGSU
A1015	文件：73.45 Kbytes Page：1 Pages	PNP SILICON TRANSISTOR 2SA1015 is PNP silicon planar transistor designed for audio frequency general purpose amplifier applications and driver stage amplifier applications. 文件：73.45 Kbytes 页数：1 Pages	MICRO-ELECTRONICS	MICRO-ELECTRONICS

技术参数

PCM(W)：
0.2
IC(A)：
0.15
VCBO(V)：
50
VCEO(V)：
50
VEBO(V)：
5
hFE/Min：
130
hFE/Max：
400
hFE@VCE(V)：
6
hFE@IC(A)：
0.002
VCE/sat(V)：
0.3
VCE/sat@IC(A)：
0.1
VCE/sat@IB(A)：
0.01
PACKAGE：
SOT-23

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