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A1013Y-2AF	文件：300 bytes Page：1 Pages	PNP Transistor 晶体管类型:PNP\n集电极电流(lc): 1A\n集射极击穿电压 160V\n耗散功率(Pd): 500mW	FOSAN 富信半导体	FOSAN
ADMV1013	文件：1.45768 Mbytes Page：39 Pages	Wideband, Microwave Upconverter 文件：1.45768 Mbytes 页数：39 Pages	AD 亚德诺	AD
ADMV1013ACCZ	文件：1.45768 Mbytes Page：39 Pages	Wideband, Microwave Upconverter 文件：1.45768 Mbytes 页数：39 Pages	AD 亚德诺	AD
ADMV1013-EVALZ	文件：1.45768 Mbytes Page：39 Pages	Wideband, Microwave Upconverter 文件：1.45768 Mbytes 页数：39 Pages	AD 亚德诺	AD

技术参数

集电极电流(Ic)：
-1mA
集射极击穿电压(Vceo)：
-160V
耗散功率(Pd)：
500mW
集射极饱和电压(VCE(sat))：
-1.5V
直流电流增益(hFE)：
160mA-320mA
特征频率(fT)：
15MHz
工作温度：
-55℃~+150℃

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更多A1013Y供应商更新时间2021-9-14 10:50:00

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